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1. (WO2019004204) テラヘルツ素子、半導体装置
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国際公開番号: WO/2019/004204 国際出願番号: PCT/JP2018/024179
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 26.06.2018
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01) ,H01Q 9/16 (2006.01) ,H03B 1/00 (2006.01) ,H03B 7/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329
装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
88
トンネル効果ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
9
動作波長の2倍以下の寸法で導体輻射器よりなる電気的に短かい空中線
04
共振空中線
16
空中線の両端間の中間に給電するもの,例.中央給電ダイポール
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
1
細部
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
7
2つの電極間に負性抵抗をもつ能動素子を用いた振動の発生
02
集中定数インダクタンスと集中定数キャパシタンスとからなる周波数決定素子を有するもの
06
能動素子が半導体装置であるもの
08
トンネルダイオードであるもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
発明者:
向井 俊和 MUKAI Toshikazu; JP
金 在瑛 KIM Jae Young; JP
外山 智一郎 TOYAMA Tomoichiro; JP
代理人:
吉田 稔 YOSHIDA Minoru; JP
土居 史明 DOI Fumiaki; JP
優先権情報:
2017-12537027.06.2017JP
2017-20202118.10.2017JP
発明の名称: (EN) TERAHERTZ ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT TÉRAHERTZ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) テラヘルツ素子、半導体装置
要約:
(EN) A terahertz element provided according to one aspect of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate; a first conductive layer; a second conductive layer; and an active element. The first conductive layer and the second conductive layer are respectively formed on the semiconductor substrate and are insulated from each other. The active element is formed on the semiconductor substrate and is electrically conductive to the first conductive layer and the second conductive layer. The first conductive layer includes: a first antenna part that extends along a first direction; a first capacitor part that is positioned on a second direction side relative to the active element when viewing the semiconductor substrate from the thickness direction; and a first conductive part that is connected to the first capacitor part. The second direction is orthogonal to the thickness direction and the first direction. The second conductive layer includes a second capacitor part. The second capacitor part is layered on the first capacitor part and is insulated from the first capacitor part. The semiconductor substrate includes an exposed part that is exposed from the first capacitor part and the second capacitor part. The first conductive part has an area that is separated in the second direction from the first antenna part with the exposed part therebetween when viewed from the thickness direction.
(FR) Un élément térahertz selon un aspect de la présente invention comprend : un substrat semi-conducteur; une première couche conductrice; une seconde couche conductrice; et un élément actif. La première couche conductrice et la seconde couche conductrice sont respectivement formées sur le substrat semi-conducteur et sont isolées l'une de l'autre. L'élément actif est formé sur le substrat semi-conducteur et est électroconducteur à la première couche conductrice et à la seconde couche conductrice. La première couche conductrice comprend : une première partie d'antenne qui s'étend le long d'une première direction; une première partie de condensateur qui est positionnée sur un second côté de direction par rapport à l'élément actif lors de la visualisation du substrat semi-conducteur à partir de la direction de l'épaisseur; et une première partie conductrice qui est connectée à la première partie de condensateur. La seconde direction est perpendiculaire à la direction d’épaisseur et à la première direction. La seconde couche conductrice comprend une seconde partie de condensateur. La seconde partie de condensateur est stratifiée sur la première partie de condensateur et est isolée de la première partie de condensateur Le substrat semi-conducteur comprend une partie exposée qui est exposée à partir de la première partie de condensateur et de la seconde partie de condensateur La première partie conductrice a une zone qui est séparée dans la seconde direction à partir de la première partie d'antenne avec la partie exposée entre celles-ci lorsqu'elle est vue depuis la direction de l'épaisseur.
(JA) 本開示の一側面により提供されるテラヘルツ素子は、半導体基板と、第1導電層と、第2導電層と、能動素子と、を備える。前記第1導電層および第2導電層は、前記半導体基板に各々形成され、互いに絶縁されている。前記能動素子は、前記半導体基板に形成され、前記第1導電層および前記第2導電層に導通する。前記第1導電層は、第1方向に沿って延びる第1アンテナ部と、前記半導体基板の厚さ方向視において、前記能動素子に対し第2方向側に位置する第1キャパシタ部と、前記第1キャパシタ部につながる第1導電部と、を含む。前記第2方向は、前記厚さ方向と前記第1方向とに直交している。前記第2導電層は、第2キャパシタ部を含む。前記第2キャパシタ部は、前記第1キャパシタ部に積層され、且つ、前記第1キャパシタ部から絶縁されている。前記半導体基板は、前記第1キャパシタ部および前記第2キャパシタ部から露出した露出部を含む。前記第1導電部は、前記厚さ方向視において、前記露出部を挟んで前記第1アンテナ部から前記第2方向に離間した部位を有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)