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1. (WO2019004188) プラズマ処理装置
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国際公開番号: WO/2019/004188 国際出願番号: PCT/JP2018/024150
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 26.06.2018
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
19
化学的,物理的,または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
08
電気または波動エネルギーあるいは粒子線放射を直接適用したプロセス;そのための装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
発明者:
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
代理人:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
優先権情報:
2018-01755402.02.2018JP
PCT/JP2017/02360327.06.2017JP
PCT/JP2017/02361127.06.2017JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN) A plasma treatment device, provided with: a balun having a first input terminal, a second input terminal, a first output terminal, and a second output terminal; a vacuum container; a first electrode electrically connected to the first output terminal; a second electrode electrically connected to the second output terminal; and a connection part for electrically connecting the vacuum container and the ground. The connection part includes an inductor.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : un symétriseur comprenant une première borne d'entrée, une seconde borne d'entrée, une première borne de sortie et une seconde borne de sortie; un réservoir sous vide; une première électrode électriquement connectée à la première borne de sortie; une seconde électrode électriquement connectée à la seconde borne de sortie; et une partie de connexion permettant de connecter électriquement le réservoir sous vide à la terre. La partie de connexion comprend un inducteur.
(JA) プラズマ処理装置は、第1入力端子、第2入力端子、第1出力端子および第2出力端子を有するバランと、真空容器と、前記第1出力端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2出力端子に電気的に接続された第2電極と、前記真空容器と接地とを電気的に接続する接続部と、を備え、前記接続部は、インダクタを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)