WO2019003746 半導体装置

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1. (WO2019003746) 半導体装置

国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:	WO/2019/003746	国際出願番号:	PCT/JP2018/020230
国際公開日:	03.01.2019	国際出願日:	25.05.2018

IPC:

H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)

出願人:

株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP

発明者:

畑　謙佑 HATA Kensuke; JP

星　真一 HOSHI Shinichi; JP

松木　英夫 MATSUKI Hideo; JP

陰　泳信 EUM Youngshin; JP

高橋　茂樹 TAKAHASHI Shigeki; JP

代理人:

特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目６番５号　名古屋錦シティビル４階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP

優先権情報:

2017-124349

26.06.2017

発明の名称:

(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置

要約:

(EN) Provided is a semiconductor device having an active area (1) and an inactive area (2), the active area (1) having a configuration provided with: a channel formation layer having a heterojunction structure constituted by first and second semiconductor layers (12, 13); a gate structure section having a MOS gate electrode (17); a source electrode (18) and a drain electrode (19) disposed on the second semiconductor layer (13) at either side sandwiching the gate structure section; a third semiconductor layer (14) not doped with impurities, and disposed at a position separated from the drain electrode (19) and between the gate structure section and the drain electrode (19); a p-type fourth semiconductor layer (20) formed on the third semiconductor layer (14); and a JG electrode (21) contacting the fourth semiconductor layer (20). Furthermore, the JG electrode (21) is electrically connected to the source electrode (18), has the same potential as the source electrode (18), and is disposed only in the active area (1).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur ayant une zone active (1) et une zone inactive (2), la zone active (1) ayant une configuration comportant : une couche de formation de canal ayant une structure d'hétérojonction constituée de première et seconde couches semi-conductrices (12, 13) ; une section de structure de grille ayant une électrode de grille MOS (17) ; une électrode de source (18) et une électrode de drain (19) disposée sur la seconde couche de semi-conducteur (13) de chaque côté prenant en sandwich la section de structure de grille ; une troisième couche semi-conductrice (14) non dopée avec des impuretés, et disposée à une position séparée de l'électrode de drain (19) et entre la section de structure de grille et l'électrode de drain (19) ; une quatrième couche semi-conductrice de type p (20) formée sur la troisième couche semi-conductrice (14) ; et une électrode JG (21) en contact avec la quatrième couche semi-conductrice (20). En outre, l'électrode JG (21) est électriquement connectée à l'électrode de source (18), a le même potentiel que l'électrode de source (18), et est disposée uniquement dans la zone active (1).
(JA) 活性領域（１）と不活性領域（２）とを有する半導体装置において、活性領域（１）は、第１、第２半導体層（１２、１３）にて構成されるヘテロジャンクション構造を有するチャネル形成層と、ＭＯＳゲート電極（１７）を有するゲート構造部と、第２半導体層（１３）の上において、ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極（１８）およびドレイン電極（１９）と、ゲート構造部とドレイン電極（１９）との間におけるドレイン電極（１９）から離れた位置に配置され、不純物がドープされていない第３半導体層（１４）と、第３半導体層（１４）の上に形成されたｐ型の第４半導体層（２０）と、第４半導体層（２０）に接触させられたＪＧ電極（２１）と、を備える構成とする。そして、ＪＧ電極（２１）は、ソース電極（１８）と電気的に接続されて当該ソース電極（１８）と同電位とされ、かつ活性領域（１）内にのみ配置されるようにする。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)

国際公開言語:

日本語 (JA)

国際出願言語:

日本語 (JA)

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