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1. (WO2019003695) 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規な化合物
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国際公開番号: WO/2019/003695 国際出願番号: PCT/JP2018/019080
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 17.05.2018
IPC:
C23C 16/32 (2006.01) ,C07F 17/00 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,C07F 7/28 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
32
炭化物
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
17
メタロセン
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
18
金属有機質化合物からのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
7
周期律表の第4族の元素を含有する化合物
28
チタン化合物
出願人:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
発明者:
西田 章浩 NISHIDA, Akihiro; JP
岡田 奈奈 OKADA, Nana; JP
大江 佳毅 OE, Yoshiki; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
優先権情報:
2017-12740129.06.2017JP
発明の名称: (EN) FEEDSTOCK FOR FORMING THIN FILMS, THIN FILM PRODUCTION METHOD AND NOVEL COMPOUND
(FR) CHARGE D'ALIMENTATION POUR LA FORMATION DE FILMS MINCES, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILMS MINCES ET NOUVEAU COMPOSÉ
(JA) 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規な化合物
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a feedstock for forming thin films that is very safe, transportable and producible and can be used in CVD; a thin film production method using said feedstock; and a novel compound to be used as a feedstock for forming thin films. To achieve said purpose, the present invention provides: a feedstock for forming thin films that contains a compound represented by general formula (1); a thin film production method using said feedstock; and a novel compound represented by general formula (2) in the description. [In formula (1), X represents a halogen atom and R represents a C1-5 primary alkyl group or secondary butyl group.]
(FR) Le but de la présente invention est de fournir : une charge d'alimentation pour la formation de films minces qui est très sûre, apte au transport et à la production, et qui peut être utilisée en CVD ; un procédé de production de films minces utilisant ladite charge d'alimentation ; et un nouveau composé destiné à être utilisé comme charge d'alimentation pour la formation de films minces. À cet effet, la présente invention concerne : une charge d'alimentation pour la formation de films minces qui contient un composé de formule générale (1) ; un procédé de production de films minces utilisant ladite charge d'alimentation ; et un nouveau composé de formule générale (2) dans la description. [Dans la formule (1), X représente un atome d'halogène et R représente un groupe alkyle primaire en C1 à 5 ou un groupe butyle secondaire.]
(JA) 本発明は、安全性、運搬性及び生産性に優れる、CVD法に使用可能な薄膜形成用原料、その原料を用いた薄膜の製造方法、及び薄膜形成用原料として用いられる新規な化合物を提供することを目的とする。 上記目的を達成するため、本発明は、下記一般式(1)で表される化合物を含有する薄膜形成用原料、その原料を用いた薄膜の製造方法、及び明細書中に一般式(2)で表される新規な化合物である。 [式(1)中、Xはハロゲン原子を表し、Rは炭素原子数1~5の第一級アルキル基又は第二級ブチル基を表す。]
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)