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1. (WO2019003638) 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2019/003638 国際出願番号: PCT/JP2018/017615
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 07.05.2018
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi; JP
渡部 武紀 WATABE Takenori; JP
大塚 寛之 OHTSUKA Hiroyuki; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-12447926.06.2017JP
発明の名称: (EN) HIGH EFFICIENCY BACK SURFACE ELECTRODE-TYPE SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PHOTOPILE DE TYPE À ÉLECTRODE DE SURFACE ARRIÈRE À HAUT RENDEMENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention is a rear-surface-electrode-type solar cell in which a first main surface of a crystalline silicon substrate has a p-type region that has p-type electrical conductivity, and an n-type region that has n-type electrical conductivity, the rear-surface-electrode-type solar cell comprising a positive electrode that is formed on the p-type region and a negative electrode that is formed on the n-type region, wherein the solar cell is characterized in that: the positive electrode comprises a laminated electrical conductor made from a first electrical conductor that is formed on the p-type region and contains a group III element, and a second electrical conductor that is laminated on the first electrical conductor, the group III element content being less than that of the first electrical conductor; and the negative electrode comprises a second electrical conductor that is formed on the n-type region. Thereby provided is an inexpensive rear surface electrode-type solar cell that has high photoelectric conversion efficiency.
(FR) La présente invention concerne une photopile de type à électrode de surface arrière dans laquelle une première surface principale d'un substrat de silicium cristallin présente une région de type p présentant une conductivité électrique de type p, et une région de type n présentant une conductivité électrique de type n, la photopile de type à électrode de surface arrière comprenant une électrode positive formée sur la région de type p et une électrode négative formée sur la région de type n, la photopile étant caractérisée en ce que : l'électrode positive comprend un conducteur électrique stratifié constitué d'un premier conducteur électrique formé sur la région de type p et contenant un élément du groupe III, et d'un second conducteur électrique qui est stratifié sur le premier conducteur électrique et dont la teneur en élément du groupe III est inférieure à celle du premier conducteur électrique ; et l'électrode négative comprend un second conducteur électrique formé sur la région de type n. Ainsi, l'invention concerne une photopile de type à électrode de surface arrière peu coûteuse qui présente une efficacité de conversion photoélectrique élevée.
(JA) 本発明は、結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有するn型領域とを有し、p型領域上に形成された正電極と、n型領域上に形成された負電極とを具備する裏面電極型太陽電池であって、正電極が、p型領域上に形成され、III族元素を含む第1導電体と、第1導電体の上に積層され、第1導電体よりもIII族元素の含有割合が低い第2導電体との積層導電体から成るものであり、負電極が、n型領域上に形成された第2導電体から成るものであることを特徴とする太陽電池である。これにより、光電変換効率が高くかつ安価な裏面電極型太陽電池が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)