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1. (WO2019003624) 膜厚測定方法、窒化物半導体積層物の製造方法および窒化物半導体積層物
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国際公開番号: WO/2019/003624 国際出願番号: PCT/JP2018/017144
国際公開日: 03.01.2019 国際出願日: 27.04.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,G01B 11/06 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
G 物理学
01
測定;試験
B
長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11
光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
02
長さ,幅または厚み測定用
06
厚み測定用
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人:
株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP/JP]; 茨城県日立市砂沢町880番地 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418, JP
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
発明者:
堀切 文正 HORIKIRI Fumimasa; JP
代理人:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
橘高 英郎 KITTAKA Hideo; JP
優先権情報:
2017-12494327.06.2017JP
発明の名称: (EN) FILM THICKNESS MEASURING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE FILM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN STRATIFIÉ SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET STRATIFIÉ SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 膜厚測定方法、窒化物半導体積層物の製造方法および窒化物半導体積層物
要約:
(EN) A film thickness measuring method for measuring the film thickness of a thin film of a nitride semiconductor laminate made by a thin film undergoing homoepitaxial growth on a substrate comprising crystal of a group III nitride semiconductor, wherein used as the substrate is an item for which there is dependency between the carrier density of that substrate and the absorption coefficient of an infrared region, and the film thickness of the thin film is measured using Fourier-transform infrared spectroscopy or infrared spectroscopic ellipsometry.
(FR) L'invention concerne un procédé de mesure d'épaisseur de film permettant de mesurer l'épaisseur de film d'un film mince d'un stratifié semi-conducteur au nitrure fabriqué par un film mince subissant une croissance homoépitaxiale sur un substrat comprenant un cristal d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III, le substrat utilisé étant un élément pour lequel il existe une dépendance entre la densité de support de ce substrat et le coefficient d'absorption d'une région infrarouge, et l'épaisseur de film du film mince étant mesurée à l'aide d'une spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier ou d'une ellipsométrie spectroscopique infrarouge.
(JA) III族窒化物半導体の結晶からなる基板上に薄膜がホモエピタキシャル成長されてなる窒化物半導体積層物における薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、基板として、当該基板におけるキャリア濃度と赤外域の吸収係数との間に依存性を有するものを用い、薄膜の膜厚を、フーリエ変換赤外分光法または赤外分光エリプソメトリ法を利用して測定する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)