このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018235843) 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/235843 国際出願番号: PCT/JP2018/023373
国際公開日: 27.12.2018 国際出願日: 19.06.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B28D 5/04 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
[IPC code unknown for B23K 26/53]
B 処理操作;運輸
28
セメント,粘土,または石材の加工
D
石材または石材類似材料の加工
5
宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04
回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
発明者:
明田 正俊 AKETA, Masatoshi; JP
富士 和則 FUJI, Kazunori; JP
代理人:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
優先権情報:
2017-11970419.06.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND WAFER-ATTACHED STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET STRUCTURE FIXÉE À UNE TRANCHE
(JA) 半導体装置の製造方法およびウエハ貼着構造体
要約:
(EN) A semiconductor device manufacturing method comprises: a step of preparing a semiconductor wafer source including a first major surface on one side, a second major surface on another side, and a side wall connecting the first major surface and the second major surface; an element forming step of setting a plurality of element forming regions on the first major surface of the semiconductor wafer source, and fabricating semiconductor elements respectively in the plurality of element forming regions; and a wafer source separating step of cutting, after the element forming step, the semiconductor wafer source from a midway portion in the thickness direction of the semiconductor wafer source along a horizontal direction parallel with the first major surface, and thereby separating the semiconductor wafer source into an element-formed wafer and an element-unformed wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, comprenant : une étape de préparation d'une source de semi-conducteur étagé présentant une première surface principale d'un côté, une seconde surface principale d'un autre côté, et une paroi latérale reliant les première et seconde surfaces principales ; une étape de formation d'éléments consistant à délimiter une pluralité de zones de formation d'éléments sur la première surface principale de la source de semi-conducteur étagé, et à fabriquer des éléments semi-conducteurs respectivement dans la pluralité de zones de formation d'éléments ; et une étape de séparation de source de semi-conducteur étagé consistant à découper, après l'étape de formation d'éléments, la source de semi-conducteur étagé depuis une partie centrale dans le sens de l'épaisseur de la source de semi-conducteur étagé le long d'une direction horizontale parallèle à la première surface principale, et ainsi à diviser la source de semi-conducteur étagé en une tranche formée d'éléments et une tranche non formée d'éléments.
(JA) 半導体装置の製造方法は、一方側の第1主面、他方側の第2主面、ならびに、前記第1主面および前記第2主面を接続する側壁を含む半導体ウエハ源を用意する工程と、前記半導体ウエハ源の前記第1主面に複数の素子形成領域を設定し、前記複数の素子形成領域に半導体素子をそれぞれ作り込む素子形成工程と、前記素子形成工程の後、前記半導体ウエハ源の厚さ方向途中部から前記第1主面に平行な水平方向に沿って前記半導体ウエハ源を切断することにより、前記半導体ウエハ源を素子形成ウエハおよび素子未形成ウエハに分離するウエハ源分離工程と、を含む。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)