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1. (WO2018235721) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/235721 国際出願番号: PCT/JP2018/022756
国際公開日: 27.12.2018 国際出願日: 14.06.2018
IPC:
G03F 1/24 (2012.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,G02B 5/08 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
5
レンズ以外の光学要素
08
反射鏡
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
小坂井 弘文 KOZAKAI Hirofumi; JP
尾上 貴弘 ONOUE Takahiro; JP
代理人:
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
優先権情報:
2017-12148521.06.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTIVE FILM, REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT AVEC FILM RÉFLÉCHISSANT MULTICOUCHE, ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided is a substrate (110) with a multilayer reflective film, which is used for the purpose of producing a reflective mask (200) having a multilayer reflective film (5) that has a high reflectance with respect to exposure light, while having a low film stress. A substrate with a multilayer reflective film according to the present invention, which comprises a multilayer reflective film for reflecting exposure light on a substrate (1), said multilayer reflective film being composed of a multilayer film that is obtained by alternately laminating low refractive index layers and high refractive index layers, is characterized in that the multilayer reflective film contains krypton (Kr).
(FR) L'invention concerne un substrat (110) comprenant un film réfléchissant multicouche, qui est utilisé dans le but de produire un masque réfléchissant (200) ayant un film réfléchissant multicouche (5) qui possède un facteur de réflexion élevé de la lumière d'exposition, tout en ayant une faible contrainte de film. Un substrat comprenant un film réfléchissant multicouche selon la présente invention, qui comprend un film réfléchissant multicouche destiné à réfléchir une lumière d'exposition sur un substrat (1), ledit film réfléchissant multicouche étant composé d'un film multicouche qui est obtenu par stratification alternée de couches à faible indice de réfraction et de couches à indice de réfraction élevé, est caractérisé en ce que le film réfléchissant multicouche contient du krypton (Kr).
(JA) 露光光に対する反射率が高く、かつ膜応力の小さい多層反射膜(5)を有する反射型マスク(200)を製造するために用いられる多層反射膜付き基板(110)を提供する。 基板(1)上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜からなり、露光光を反射するための多層反射膜を備える多層反射膜付き基板であって、前記多層反射膜は、クリプトン(Kr)を含有することを特徴とする多層反射膜付き基板である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)