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1. (WO2018235449) 人工ニューラルネットワーク回路の訓練方法、訓練プログラム、及び訓練装置
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国際公開番号: WO/2018/235449 国際出願番号: PCT/JP2018/018299
国際公開日: 27.12.2018 国際出願日: 11.05.2018
IPC:
G06N 3/063 (2006.01) ,G06G 7/60 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
N
特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3
生物学的モデルに基づくコンピュータ・システム
02
ニューラル・ネットワーク・モデルを用いるもの
06
物理的な実現,すなわち,ニューラル・ネットワーク,ニューロン,ニューロン構成要素のハードウェア実装
063
電子的手段を用いるもの
G 物理学
06
計算;計数
G
アナログ計算機
7
計算動作が電気的または磁気的量を変化させることにより行われる装置
48
特定のプロセス,システムまたは装置のためのアナログ計算機,例.シミュレータ
60
生体のためのもの,例.神経系統用
G 物理学
06
計算;計数
N
特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3
生物学的モデルに基づくコンピュータ・システム
02
ニューラル・ネットワーク・モデルを用いるもの
08
学習方法
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661, JP
発明者:
カタエヴァ イリナ KATAEVA Irina; JP
代理人:
金 順姫 JIN Shunji; JP
優先権情報:
2017-11968619.06.2017JP
発明の名称: (EN) ARTIFICIAL NEURAL NETWORK CIRCUIT TRAINING METHOD, TRAINING PROGRAM, AND TRAINING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'APPRENTISSAGE DE CIRCUIT DE RÉSEAU NEURONAL ARTIFICIEL, PROGRAMME D'APPRENTISSAGE ET DISPOSITIF D'APPRENTISSAGE
(JA) 人工ニューラルネットワーク回路の訓練方法、訓練プログラム、及び訓練装置
要約:
(EN) Provided is a training method for an artificial neural network circuit (40) that comprises a crossbar circuit (44) having a plurality of input bars (50), a plurality of output bars (51), and a memristor (53) and wherein each memristor has characteristics whereby conductance is refreshed when a write voltage VWRITE being at least a write voltage threshold is applied and conductance is maintained when a voltage smaller than the write voltage threshold is applied. The size of the write voltage threshold varies relative to a specified value VTH. The training method includes applied voltage setting steps (S120, S130) and a voltage application step (S140). The size of a margin voltage is set on the basis of the write voltage threshold variation (σ) of the memristor.
(FR) L'invention concerne un procédé d'apprentissage pour un circuit de réseau neuronal artificiel (40) qui comprend un circuit à barres croisées (44) ayant une pluralité de barres d'entrée (50), une pluralité de barres de sortie (51), et une memristance (53) et chaque memristance ayant des caractéristiques par lesquelles la conductance est rafraîchie lorsqu'une tension d'écriture VWRITE étant au moins un seuil de tension d'écriture est appliquée et la conductance est maintenue lorsqu'une tension inférieure au seuil de tension d'écriture est appliquée. La taille du seuil de tension d'écriture varie par rapport à une valeur spécifiée VTH. Le procédé d'apprentissage comprend des étapes de réglage de tension appliquée (S120, S130) et une étape d'application de tension (S140). La taille d'une tension de marge est réglée sur la base de la variation de seuil de tension d'écriture (σ) de la memristance.
(JA) 複数の入力バー(50)と、複数の出力バー(51)と、メモリスタ(53)と、を有するクロスバー回路(44)を備え、各メモリスタは、書込電圧閾値以上の大きさを持つ電圧である書込電圧VWRITEが印加された場合にコンダクタンスが更新され、該書込電圧閾値よりも小さい電圧が印加された場合にはコンダクタンスが維持される特性を有し、該書込電圧閾値の大きさが規定値VTHに対してバラツキを持つ人工ニューラルネットワーク回路(40)の訓練方法が提供される。該訓練方法は、印加電圧設定ステップ(S120,S130)と、電圧印加ステップ(S140)と、を含む。マージン電圧の大きさが、メモリスタの書込電圧閾値バラツキ(σ)に基づいて設定されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)