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1. (WO2018235232) 半導体装置および電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/235232 国際出願番号: PCT/JP2017/023044
国際公開日: 27.12.2018 国際出願日: 22.06.2017
IPC:
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
重本 拓巳 SHIGEMOTO Takumi; JP
石川 悟 ISHIKAWA Satoru; JP
井本 裕児 IMOTO Yuji; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置および電力変換装置
要約:
(EN) A semiconductor device 100 comprises: a semiconductor element substrate 5 having insulation properties; and a wire W1 for determining the position of a semiconductor element S1 with respect to the semiconductor element substrate 5. The semiconductor element substrate 5 includes a disposition region Rg1 in which the semiconductor element S1 is disposed. The wire W1 is provided to at least a part of the periphery of the disposition region Rg1.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur 100 comprenant : un substrat d'élément semi-conducteur 5 ayant des propriétés d'isolation; et un fil W1 pour déterminer la position d'un élément semi-conducteur S1 par rapport au substrat d'élément semi-conducteur 5. Le substrat d'élément semi-conducteur 5 comprend une région de disposition Rg1 dans laquelle est disposé l'élément semi-conducteur S1. Le fil W1 est disposé sur au moins une partie de la périphérie de la région de disposition Rg1.
(JA) 半導体装置100は、絶縁性を有する半導体素子基板5と、半導体素子基板5に対する半導体素子S1の位置を決めるためのワイヤW1とを備える。半導体素子基板5は、半導体素子S1を配置するための配置領域Rg1を有する。ワイヤW1は、配置領域Rg1の周囲の少なくとも一部に設けられる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)