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1. (WO2018230380) ポリシリコンの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/230380 国際出願番号: PCT/JP2018/021363
国際公開日: 20.12.2018 国際出願日: 04.06.2018
予備審査請求日: 02.11.2018
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
33
けい素;その化合物
02
けい素
021
製造
027
シリカまたはシリカ含有材料以外の気体状または気化されたけい素化合物の分解または還元によるもの
035
気体状または気化されたけい素化合物の,けい素,炭素,または耐火金属,例.タンタルまたはタングステン,の加熱フイラメントの存在下における,もしくは形成されるけい素が析出する加熱けい素棒,すなわち得られるけい素の存在下における,例.シーメンス法,分解または還元によるもの
出願人:
株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市御影町1番1号 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648, JP
発明者:
鎌田 誠 KAMADA, Makoto; JP
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2017-11912516.06.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) ポリシリコンの製造方法
要約:
(EN) The present invention achieves an efficient method for producing polysilicon. The present invention is a method for producing polysilicon by the Siemens process, wherein a reactor is connected to exhaust gas treatment equipment by a shutoff valve provided on an exhaust gas duct, the shutoff valve is provided in the vicinity of an exhaust gas outlet of the reactor, and exhaust gas is cooled by an indirect cooler between the exhaust gas outlet of the reactor and the shutoff valve.
(FR) La présente invention concerne un procédé efficace de production de silicium polycristallin. La présente invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin par le procédé Siemens, dans lequel un réacteur est connecté à un équipement de traitement de gaz d'échappement par un robinet d'arrêt disposé sur un conduit de gaz d'échappement, le robinet d'arrêt est disposé à proximité d'une sortie de gaz d'échappement du réacteur, et le gaz d'échappement est refroidi par un refroidisseur indirect entre la sortie de gaz d'échappement du réacteur et le robinet d'arrêt.
(JA) ポリシリコンの効率的な製造方法を実現する。本発明は、ジーメンス法によるポリシリコンの製造方法であり、反応器と排ガス処理設備とは、排ガス配管に設けられた遮断弁によって接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)