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1. (WO2018230297) 半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/230297 国際出願番号: PCT/JP2018/020005
国際公開日: 20.12.2018 国際出願日: 24.05.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,B24B 27/06 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
27
その他の研削機械または装置
06
切断用研削機
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
出願人:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
発明者:
山田 駿太郎 YAMADA Shuntaro; JP
神田 明典 KANDA Akinori; JP
吉岡 テツヲ YOSHIOKA Tetsuo; JP
長尾 高成 NAGAO Takashige; JP
宮下 耕一 MIYASHITA Kouichi; JP
代理人:
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2017-11785615.06.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) Provided is a method for manufacturing a semiconductor device including a substrate (20) having a front surface (20a) and a rear surface (20b) and a film (30) attached to the rear surface (20b), the method comprising the steps for: attaching the film (30) to the rear surface (20b); half-cutting the film (30) and the substrate (20) from the rear surface (20b) side to form a rear surface-side groove portion (80); attaching a protective member (90) to the film (30) after forming the rear surface-side groove portion (80); and dicing the substrate (20) from the front surface (20a) side after attaching the protective member (90), to form a front surface-side groove portion (110) connected to the rear surface-side groove portion (80).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat (20) présentant une surface avant (20a) et une surface arrière (20b), et un film (30) fixé à la surface arrière (20b), le procédé comprenant les étapes consistant à : fixer le film (30) à la surface arrière (20b) ; découper à moitié le film (30) et le substrat (20) à partir du côté de la surface arrière (20b) pour former une partie rainure côté surface arrière (80) ; fixer un élément de protection (90) au film (30) après avoir formé la partie rainure côté surface arrière (80) ; et découper le substrat (20) en dés à partir du côté de la surface avant (20a) après avoir fixé l'élément de protection (90), pour former une partie rainure côté surface avant (110) reliée à la partie rainure côté surface arrière (80).
(JA) 表面(20a)および裏面(20b)を有する基板(20)と、裏面(20b)に貼り付けられたフィルム(30)と、を備える半導体装置の製造方法は、裏面(20b)にフィルム(30)を貼り付けることと、フィルム(30)と共に基板(20)を裏面(20b)からハーフカットし、裏面側溝部(80)を形成することと、裏面側溝部(80)を形成することの後に、フィルム(30)に保護部材(90)を貼り付けることと、保護部材(90)を貼り付けることの後に、表面(20a)から基板(20)のダイシングカットを行い、裏面側溝部(80)と連結された表面側溝部(110)を形成することと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)