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1. (WO2018230136) 窒化物半導体装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/230136 国際出願番号: PCT/JP2018/015785
国際公開日: 20.12.2018 国際出願日: 17.04.2018
IPC:
H01L 21/337 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/808 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
337
PN接合ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
338
ショットキーゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
778
二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
808
PN接合ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
80
PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812
ショットキーゲートを有するもの
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
大来 英之 OKITA Hideyuki; --
柳原 学 YANAGIHARA Manabu; --
引田 正洋 HIKITA Masahiro; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2017-11604013.06.2017JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 窒化物半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) A nitride semiconductor device (100) includes: a substrate (1); a first nitride semiconductor layer (3) formed on the substrate (1); a second nitride semiconductor layer (4) formed on the first nitride semiconductor layer (3) and having a band gap larger than that of the first nitride semiconductor layer (3); a third nitride semiconductor layer (5) selectively formed on the second nitride semiconductor layer (4) and containing a p-type first impurity; a high resistance region (6) formed on the third nitride semiconductor layer (5), containing a second impurity, and having a specific resistance higher than the specific resistance of the third nitride semiconductor layer (5); and a gate electrode (7) formed on the high resistance region. An end section of the high resistance region (6) is located inward of a surface edge of the third nitride semiconductor layer (5).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au nitrure (100) comprenant : un substrat (1); une première couche semi-conductrice au nitrure (3) formée sur le substrat (1) ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) formée sur la première couche semi-conductrice au nitrure (3) et ayant une bande interdite plus grande que celle de la première couche semi-conductrice au nitrure (3); une troisième couche semi-conductrice au nitrure (5) formée sélectivement sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure (4) et contenant une première impureté de type p; une région de résistance élevée (6) formée sur la troisième couche semi-conductrice au nitrure (5), contenant une seconde impureté, et ayant une résistance spécifique supérieure à la résistance spécifique de la troisième couche semi-conductrice au nitrure (5); et une électrode de grille (7) formée sur la région de résistance élevée. Une section d'extrémité de la région de résistance élevée (6) est située à l'intérieur d'un bord de surface de la troisième couche semi-conductrice au nitrure (5).
(JA) 窒化物半導体装置(100)は、基板(1)と、基板(1)の上に形成された第1の窒化物半導体層(3)と、第1の窒化物半導体層(3)の上に形成され、第1の窒化物半導体層(3)と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層(4)と、第2の窒化物半導体層(4)の上に選択的に形成され、p型の第1の不純物を含む第3の窒化物半導体層(5)と、第3の窒化物半導体層(5)に形成され、第2の不純物を含み、第3の窒化物半導体層(5)の比抵抗よりも高い比抵抗を有す高抵抗領域(6)と、高抵抗領域(6)の上に形成されたゲート電極(7)と、を有し、高抵抗領域(6)の端部が、第3の窒化物半導体層(5)の表面端の内側にある。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)