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1. (WO2018225367) 固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2018/225367 国際出願番号: PCT/JP2018/014750
国際公開日: 13.12.2018 国際出願日: 06.04.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,G02B 5/20 (2006.01) ,G02B 5/30 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
3
単レンズまたは複合レンズ
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
5
レンズ以外の光学要素
20
フィルター
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
5
レンズ以外の光学要素
30
偏光要素
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
9
カラーテレビジョン方式の細部
04
画像信号発生装置
07
1つの撮像装置のみを有するもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
柳田 剛志 YANAGITA Takeshi; JP
朝妻 智彦 ASATSUMA Tomohiko; JP
代理人:
山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa; JP
吉井 正明 YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2017-11406809.06.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
要約:
(EN) A solid-state imaging device comprises: an imaging element group in a two-dimensional matrix arrangement of imaging elements having a semiconductor substrate 70 or a photoelectric conversion unit 10 formed above the semiconductor substrate, and further having a wire grid polarization element 91 and an on-chip micro-lens 15; and a first interlayer insulation layer 83 and a second interlayer insulation layer 84 provided on the light impingement side of the photoelectric conversion unit 10. The wire grid polarization element 91 is provided between the first interlayer insulation layer 83 and the second interlayer insulation layer 84, the on-chip micro-lens 15 is provided on the second insulation layer 84, the first interlayer insulation layer 83 and the second interlayer insulation layer 84 comprise an oxide material or a resin material, and the on-chip micro-lens comprises SiN or SiON.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprenant : un groupe d'éléments d'imagerie dans un agencement matriciel bidimensionnel d'éléments d'imagerie ayant un substrat semi-conducteur 70 ou une unité de conversion photoélectrique 10 formée au-dessus du substrat semi-conducteur, et ayant en outre un élément de polarisation de grille métallique 91 et une microlentille sur puce 15; et une première couche d'isolation intercouche 83 et une seconde couche d'isolation intercouche 84 disposées sur le côté d'impact de lumière de l'unité de conversion photoélectrique 10. L'élément de polarisation de grille métallique est disposé entre la première couche d'isolation intercouche et la seconde couche d'isolation intercouche, la micro-lentille sur puce est disposée sur la seconde couche d'isolation, la première couche d'isolation inter-couche 83 et la seconde couche d'isolation inter-couche 84 comprennent un matériau d'oxyde ou un matériau de résine, et la micro-lentille sur puce comprend SiN ou SiON.
(JA) 固体撮像装置は、半導体基板70又は半導体基板の上方に形成された光電変換部10を有し、ワイヤグリッド偏光素子91及びオンチップ・マイクロレンズ15を更に有する撮像素子が2次元マトリクス状に配列されて成る撮像素子群、及び、光電変換部10の光入射側に設けられた第1層間絶縁層83及び第2層間絶縁層84を備えており、ワイヤグリッド偏光素子91は、第1層間絶縁層83と第2層間絶縁層84との間に設けられており、オンチップ・マイクロレンズ15は第2層間絶縁層84上に設けられており、第1層間絶縁層83及び第2層間絶縁層84は酸化物材料又は樹脂材料から成り、オンチップ・マイクロレンズはSiN又はSiONから成る。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)