このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018223391) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/223391 国際出願番号: PCT/CN2017/087774
国際公開日: 13.12.2018 国際出願日: 09.06.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
出願人:
GOERTEK. INC [CN/CN]; No. 268 Dongfang Road, Hi-Tech Industry District Weifang, Shandong 261031, CN
発明者:
ZOU, Quanbo; CN
CHEN, Peixuan; CN
FENG, Xiangxu; CN
GAN, Tao; CN
ZHANG, Xiaoyang; CN
WANG, Zhe; CN
代理人:
BEYOND TALENT PATENT AGENT FIRM; Room 1202, Kuntai Building #10 Chaoyangmenwai Str., Chaoyang District, Beijing 100020, CN
優先権情報:
発明の名称: (EN) MICRO-LED ARRAY TRANSFER METHOD, MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE RÉSEAU DE MICRO-DEL, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
要約:
(EN) A micro-LED transfer method, manufacturing method and display device are provided. The micro-LED transfer method comprises: bonding the micro-LED array (204) on a first substrate (201) onto a receiving substrate (202) through micro-bumps (206), wherein the first substrate (201) is laser transparent; applying underfill (208) into a gap between the first substrate (201) and the receiving substrate (202); irradiating laser (207) onto the micro-LED array (204) from a side of the first substrate (201) to lift-off the micro-LED array (204) from the first substrate (201); and removing the underfill (208). The bonding strength may be improved during a transfer of a micro-LED array (204).
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de micro-DEL, un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage. Le procédé de transfert de micro-DEL consiste à : lier le réseau de micro-DEL (204) sur un premier substrat (201) sur un substrat de réception (202) à travers des micro-bosses (206), le premier substrat (201) étant transparent au laser; appliquer un sous-remplissage (208) dans un espace entre le premier substrat (201) et le substrat de réception (202); irradier un laser (207) sur le réseau de micro-DEL (204) à partir d'un côté du premier substrat (201) pour soulever le réseau de micro-DEL (204) à partir du premier substrat (201); et retirer le sous-remplissage (208). La force de liaison peut être améliorée pendant un transfert d'un réseau de micro-DEL (204).
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)