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1. (WO2018221711) 化合物半導体及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/221711    International Application No.:    PCT/JP2018/021122
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jun 02 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/20
C23C 14/06
C23C 14/34
H01L 21/203
H01L 21/337
H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/808
H01L 29/812
H01L 29/872
H01L 33/32
H01S 5/343
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
国立研究開発法人科学技術振興機構
Inventors: FUJIOKA Hiroshi
藤岡 洋
UENO Kohei
上野 耕平
Title: 化合物半導体及びその製造方法
Abstract:
従来、製造が困難であった低抵抗性の窒化物化合物半導体を提供する。さらに、高い電子移動度を示すので、高性能の半導体デバイスを構成することができる。本発明により、室温~700℃のプロセス雰囲気下のパルススパッタリング法によって、大面積の基板上に成膜し得て、移動度が70~140cm2/(V・S)であるn型導電型の13族窒化物半導体を良好な生産性で提供することができる。