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1. (WO2018221675) 半導体加工用テープ
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国際公開番号: WO/2018/221675 国際出願番号: PCT/JP2018/021034
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 31.05.2018
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 7/20 (2018.01) ,C09J 11/00 (2006.01) ,C09J 201/00 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/301][IPC code unknown for C09J 7/20][IPC code unknown for C09J 11][IPC code unknown for C09J 201][IPC code unknown for H01L 21/52]
出願人:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
発明者:
大久保 恵介 OHKUBO Keisuke; JP
岩永 有輝啓 IWANAGA Yukihiro; JP
山崎 智陽 YAMAZAKI Tomoharu; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori; JP
平野 裕之 HIRANO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2017-10939801.06.2017JP
発明の名称: (EN) TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) BANDE POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体加工用テープ
要約:
(EN) This tape for semiconductor processing includes a substrate layer, an adhesive layer, and a thermosetting adhesive layer, layered in this order. After being subjected to a curing treatment for 1 hour at 130°C, the shrinkage rate of the adhesive layer is less than 2% and the elastic modulus of the adhesive layer under a heated environment is less than 5 MPa. The tape for semiconductor processing can be used as a dicing/die-bonding tape, and also can be used as a tape for temporary anchoring during semiconductor device production, for instance.
(FR) La présente invention concerne une bande pour traitement de semi-conducteur qui comprend une couche de substrat, une couche adhésive et une couche adhésive thermodurcissable, stratifiées dans cet ordre. Après avoir été soumis à un traitement de durcissement pendant 1 heure à 130 °C, le taux de rétrécissement de la couche adhésive est inférieur à 2 % et le module élastique de la couche adhésive dans un environnement chauffé est inférieur à 5 MPa. La bande pour traitement de semi-conducteur peut être utilisée en tant que bande de découpage en dés/connexion de puces, et peut également être utilisée en tant que bande pour ancrage temporaire pendant la production de dispositifs à semi-conducteurs, par exemple.
(JA) 本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、粘着層と、熱硬化性を有する接着層とがこの順序で積層されており、130℃で1時間の硬化処理がされた後において、接着層の収縮率が2%未満であり且つ接着層の熱時弾性率が5MPa未満である。この半導体加工用テープは、ダイシングダイボンディングテープとして使用できるとともに、例えば、半導体装置の製造過程における仮固定用テープとしても使用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)