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1. (WO2018221504) 窒化アルミニウム質焼結体、および半導体保持装置
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国際公開番号: WO/2018/221504 国際出願番号: PCT/JP2018/020519
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 29.05.2018
IPC:
C04B 35/581 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
515
非酸化物を基とするもの
58
ほう化物,窒化物またはけい化物を基とするもの
581
窒化アルミニウムを基とするもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
王 雨叢 WANG,Yucong; JP
佐藤 政宏 SATOU,Masahiro; JP
口町 和一 KUCHIMACHI,Kazuhiro; JP
優先権情報:
2017-10670630.05.2017JP
発明の名称: (EN) ALUMINUM NITRIDE-BASED SINTERED COMPACT AND SEMICONDUCTOR HOLDING DEVICE
(FR) COMPRIMÉ FRITTÉ À BASE DE NITRURE D’ALUMINIUM ET DISPOSITIF DE MAINTIEN DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 窒化アルミニウム質焼結体、および半導体保持装置
要約:
(EN) An aluminum nitride-based sintered compact 1 includes: crystalline particles 2 of Mg-containing aluminum nitride; a composite oxide which has a Garnet type crystal structure and contains a rare earth element and Al; and a composite oxynitride that contains Mg and Al. Particles 3 of the composite oxide and particles 4 of the composite oxynitride are scattered between the crystalline particles 2 of the Mg-containing aluminum nitride. The composite oxide may contain Y. The crystalline particles 2 of the Mg-containing aluminum nitride may contain 0.1-1.0 mol% of Mg if the content of all contained metal elements is taken to be 100 mol%. A semiconductor holding device is provided with this aluminum nitride-based sintered compact 1 and an electrode 13 for electrostatic adsorption.
(FR) La présente invention concerne un comprimé fritté à base de nitrure d’aluminium (1) comprenant : des particules cristallines (2) de nitrure d’aluminium contenant du Mg ; un oxyde composite qui possède une structure cristalline de type grenat et qui contient un élément de terres rares et de l’Al ; et un oxynitrure composite qui contient du Mg et de l’Al. Les particules (3) de l’oxyde composite et les particules (4) de l’oxynitrure composite sont dispersées entre les particules cristallines (2) du nitrure d’aluminium contenant du Mg. L’oxyde composite peut contenir Y. Les particules cristallines (2) du nitrure d’aluminium contenant du Mg peuvent contenir de 0,1 à 1,0 % en moles de Mg si la teneur de tous les éléments métalliques contenus est considérée comme étant 100 % en moles. Un dispositif de maintien de semi-conducteur est doté du comprimé fritté à base de nitrure d’aluminium (1) et d’une électrode (13) destinée à l’adsorption électrostatique.
(JA) 窒化アルミニウム質焼結体1は、Mgを含む窒化アルミニウムの結晶粒子2と、ガーネット型の結晶構造を有し、希土類元素とAlとを含む複合酸化物と、MgとAlとを含む複合酸窒化物と、を含む。窒化アルミニウムの結晶粒子2間には、複合酸化物の粒子3および複合酸窒化物の粒子4が点在している。複合酸化物はYを含んでもよい。窒化アルミニウムの結晶粒子2は、含有する全金属元素を100mol%としたとき、Mgの含有量が0.1mol%以上1.0mol%以下であってもよい。半導体保持装置は、この窒化アルミニウム質焼結体1と静電吸着用電極13とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)