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1. (WO2018221421) 半導体発光素子および位相変調層設計方法
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国際公開番号: WO/2018/221421 国際出願番号: PCT/JP2018/020211
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 25.05.2018
IPC:
H01S 5/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
瀧口 優 TAKIGUCHI Yuu; JP
廣瀬 和義 HIROSE Kazuyoshi; JP
黒坂 剛孝 KUROSAKA Yoshitaka; JP
杉山 貴浩 SUGIYAMA Takahiro; JP
野本 佳朗 NOMOTO Yoshiro; JP
上野山 聡 UENOYAMA Soh; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2017-11020302.06.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR DESIGNING PHASE MODULATION LAYER
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION DE COUCHE DE MODULATION DE PHASE
(JA) 半導体発光素子および位相変調層設計方法
要約:
(EN) The present invention pertains to a semiconductor light-emitting element or the like provided with a structure for suppressing a reduction in the quality of an optical image arising as a result of an electrode blocking a portion of light output from a phase modulation layer. The semiconductor light-emitting element includes: a basic layer; and a phase modulation layer having a plurality of different refractive index regions, wherein the phase modulation layer includes: a first region at least partially overlapping the electrode in the lamination direction; and a second region excluding the first region. Among the plurality of different refractive index regions, only one or more of the different refractive index regions in the second region are disposed so as to contribute to forming an optical image.
(FR) La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs ou analogue pourvu d'une structure destinée à supprimer une baisse de la qualité d'une image optique résultant d'une électrode bloquant une partie de lumière émise par une couche de modulation de phase. L'élément électroluminescent à semi-conducteurs comprend : une couche de base ; et une couche de modulation de phase ayant une pluralité de différentes régions d'indice de réfraction, la couche de modulation de phase comprenant : une première région chevauchant au moins partiellement l'électrode dans la direction de stratification ; et une seconde région excluant la première région. Parmi la pluralité de différentes régions d'indice de réfraction, seule une ou plusieurs des différentes régions d'indice de réfraction dans la seconde région sont disposées de manière à contribuer à la formation d'une image optique.
(JA) 本実施形態は、位相変調層から出力される光の一部が電極に遮られることに起因する光像の質の低下を抑制するための構造を備えた半導体発光素子等に関する。当該半導体発光素子は、基本層と複数の異屈折率領域を有する位相変調層を含み、位相変調層は、積層方向に沿って少なくとも一部が電極と重なる第1領域と、第1領域を除く第2領域を含む。複数の異屈折率領域のうち第2領域内の1またはそれ以上の異屈折率領域のみが光像の形成に寄与するよう配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)