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1. (WO2018221327) TFT基板およびTFT基板を備えた走査アンテナ
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国際公開番号: WO/2018/221327 国際出願番号: PCT/JP2018/019713
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 22.05.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/786][IPC code unknown for G02F 1/13][IPC code unknown for H01Q 3/34][IPC code unknown for H01Q 3/44][IPC code unknown for H01Q 13/22]
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2017-10802631.05.2017JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE AND SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT ET ANTENNE DE BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板およびTFT基板を備えた走査アンテナ
要約:
(EN) This TFT substrate (101A) is provided with: a dielectric substrate (1); and a plurality of antenna unit areas (U) arranged on the dielectric substrate (1). Each of the plurality of antenna unit areas (U) has: a TFT (10); a patch electrode (15) electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT(10); and a patch drain connection part for electrically connecting the drain electrode (7D) and the patch electrode (15), wherein the patch drain connection part includes a conductive portion included in a conductive layer which is closer to the dielectric substrate (1) than a conductive layer (151) including the patch electrode (15), and which is one closer to the dielectric substrate (1), among a conductive layer including a gate electrode (3G) of the TFT (10) and a conductive layer including a source electrode (7S) of the TFT (10).
(FR) L'invention concerne un substrat de transistor à couches minces (101A) comprenant un substrat diélectrique (1) et une pluralité de zones d'unité d'antenne (U) disposées sur le substrat diélectrique (1). Chacune de la pluralité de zones d'unité d'antenne (U) comprend : un TFT (10); une électrode patch (15) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du TFT (10); et une partie de connexion patch drain pour connecter électriquement l'électrode de drain (7D) et l'électrode patch (15), la partie de connexion patch drain comprenant une partie conductrice incluse dans une couche conductrice qui est plus proche du substrat diélectrique (1) qu'une couche conductrice (151) comprenant l'électrode patch (15), et qui est plus proche du substrat diélectrique (1), parmi une couche conductrice comprenant une électrode de grille (3G) du TFT (10) et une couche conductrice comprenant une électrode de source (7S) du TFT (10).
(JA) TFT基板(101A)は、誘電体基板(1)と、誘電体基板(1)上に配列された複数のアンテナ単位領域(U)とを有する。複数のアンテナ単位領域(U)のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(15)と、ドレイン電極(7D)とパッチ電極(15)とを電気的に接続するパッチドレイン接続部とを有し、パッチドレイン接続部は、パッチ電極(15)を含む導電層(15l)よりも誘電体基板(1)に近い導電層であって、TFT(10)のゲート電極(3G)を含む導電層またはTFT(10)のソース電極(7S)を含む導電層のいずれか誘電体基板(1)に近い方の導電層に含まれている導電部を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)