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1. (WO2018221166) 基板処理装置および基板処理方法
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国際公開番号: WO/2018/221166 国際出願番号: PCT/JP2018/018358
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 11.05.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
古川 正晃 FURUKAWA Masaaki; JP
津田 祥太郎 TSUDA Shotaro; JP
西田 崇之 NISHIDA Takayuki; JP
代理人:
杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
優先権情報:
2017-10563029.05.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約:
(EN) A second gas discharge part 81 is provided closer to an axis line P1 than six support pins 13 installed around the axis line P1, and on the outer peripheral side of a substrate W, when the substrate W, which is held with a spin chuck 2, is viewed in plan view. The second gas discharge part 81, in addition to the discharge of gas by a first gas discharge part 65, discharges gas in the vicinity of the contact portion between the end of the substrate W and each of the six support pins 13. Namely, the second gas discharge part 81 discharges gas from near the support pins 13 to the vicinity of the contact portion between the end of the substrate W and the support pins 13, where the effect of suppression of entry is reduced and processing fluid might be expected to enter to the bottom surface of the substrate W. The flow of the gas from the first gas discharge part 65 is thereby intensified to a pinpoint, whereby the effect for suppressing entry of the processing fluid to the bottom surface of the substrate W can be improved.
(FR) Selon la présente invention, une seconde partie de décharge de gaz (81) est disposée plus près d'une ligne d'axe P1 que six broches de support (13) installées autour de la ligne d'axe P1, et sur le côté périphérique externe d'un substrat (W), lorsque le substrat (W), qui est maintenu avec un mandrin rotatif (2), est visualisé dans une vue en plan. La seconde partie de décharge de gaz (81), en plus de la décharge de gaz par une première partie de décharge de gaz (65), évacue le gaz à proximité de la partie de contact entre l'extrémité du substrat (W) et chacune des six broches de support (13). Plus précisément, la seconde partie de décharge de gaz (81) évacue le gaz depuis les broches de support (13) à proximité de la partie de contact entre l'extrémité du substrat (W) et les broches de support (13), l'effet de suppression de l'entrée étant réduit et le fluide de traitement pouvant être susceptible d'entrer dans la surface inférieure du substrat (W). Le flux du gaz depuis la première partie de décharge de gaz (65) est ainsi intensifié jusqu'à un point identifié, moyennant quoi l'effet de suppression de l'entrée du fluide de traitement vers la surface inférieure du substrat (W) peut être amélioré.
(JA) 第2気体吐出部81は、スピンチャック2で保持された基板Wを平面視した際に、軸線P1周りに立設された6本の支持ピン13よりも軸線P1側でかつ、基板Wの外周側に設けられている。第2気体吐出部81は、第1気体吐出部65による気体の吐出に加えて、6本の支持ピン13の各々と基板Wの端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第2気体吐出部81は、回り込み抑制効果が低下し、基板Wの下面に処理液が回り込むと考えられる支持ピン13と基板Wの端との接触部分付近に、支持ピン13の近くから気体を吐出する。そのため、第1気体吐出部65による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板Wの下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)