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1. (WO2018220998) 半導体装置および半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/220998 国際出願番号: PCT/JP2018/014411
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 04.04.2018
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/60][IPC code unknown for H01L 25/065][IPC code unknown for H01L 25/07][IPC code unknown for H01L 25/18]
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
澤井 敬一 SAWAI, Keiichi; --
代理人:
山尾 憲人 YAMAO, Norihito; JP
山崎 敏行 YAMASAKI, Toshiyuki; JP
優先権情報:
2017-10703530.05.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device comprising a first semiconductor chip (10) and a second semiconductor chip (20) that are disposed so as to face each other. The first semiconductor chip (10) has a first connection part (13) provided in a first hole (122), the second semiconductor chip (20) has a conductive second connection part (23) constituted of recessed metal films formed on the surface of a second electrode part (21), the side face of a second hole (222), and the surface of a second protective film (22). A first electrode part (11) and the second electrode part (21) are electrically connected to each other through the first connection part (13) and the second connection part (23).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une première puce semi-conductrice (10) et une seconde puce semi-conductrice (20) qui sont disposées de manière l'une en face de l'autre. La première puce semi-conductrice (10) comporte une première partie de connexion (13) disposée dans un premier trou (122), la seconde puce semi-conductrice (20) comporte une seconde partie de connexion conductrice (23) constituée de films métalliques évidés formés sur la surface d'une seconde partie d'électrode (21), sur la face latérale d'un second trou (222), et sur la surface d'un second film de protection (22). Une première partie d'électrode (11) et la seconde partie d'électrode (21) sont électriquement connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la première partie de connexion (13) et de la seconde partie de connexion (23).
(JA) 半導体装置が、相互に対向するように配置された第1半導体チップ(10)および第2半導体チップ(20)を備える。第1半導体チップ(10)が、第1孔部(122)に設けられた第1接続部(13)を有し、第2半導体チップ(20)が、第2電極部(21)の表面、第2孔部(222)の側面、および、第2保護膜(22)の表面に形成された凹状金属膜で構成されている導電性の第2接続部(23)を有している。第1電極部(11)と第2電極部(21)とが、第1接続部(13)および第2接続部(23)を介して電気的に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)