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1. (WO2018220973) エッチング方法

Pub. No.:    WO/2018/220973    International Application No.:    PCT/JP2018/012689
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Mar 29 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/302
H01L 21/683
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
Inventors: SASAHARA Reiko
笹原 麗紅
TODA Satoshi
戸田 聡
ABE Takuya
阿部 拓也
HUANG Tsuhung
黄 祖虹
OZAWA Yoshie
小澤 淑恵
NAKAGOMI Ken
中込 健
NAKAHATA Kenichi
中畑 賢一
ASAHI Kenshirou
旭 健史郎
Title: エッチング方法
Abstract:
エッチング方法は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、シリコンおよびシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置する工程と、チャンバー内の圧力を1333Pa以上にする工程と、チャンバー内にフッ化水素ガスを供給し、窒化シリコン膜を、酸化シリコン膜、シリコンおよびシリコンゲルマニウムに対して選択的にエッチングする工程とを有する。