このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018220920) 固体撮像装置、および、固体撮像装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/220920 国際出願番号: PCT/JP2018/007326
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 27.02.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/266 (2006.01) ,H04N 5/365 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
[IPC code unknown for H01L 27/146][IPC code unknown for H01L 21/266][IPC code unknown for H04N 5/365][IPC code unknown for H04N 5/374]
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
小西 武文 KONISHI, Takefumi; --
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2017-11046702.06.2017JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置、および、固体撮像装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a technology which is capable of suppressing noise charges. According to the present invention, each unit pixel (10) is provided with: a photodiode unit (130); a first charge transfer unit (103A); a charge holding unit (131); a second charge transfer unit (103B); and a charge discharging unit (180). Semiconductor substrate surfaces of the photodiode unit (130), the first charge transfer unit (103A), the charge holding unit (131), the second charge transfer unit (103B), and the charge discharging unit (180) are all covered with a second conductivity-type semiconductor region.
(FR) La présente invention concerne une technologie qui permet de supprimer des charges de bruit. Selon la présente invention, chaque pixel unitaire (10) comprend : une unité photodiode (130) ; une première unité de transfert de charge (103A) ; une unité de maintien de charge (131) ; une seconde unité de transfert de charge (103B) ; et une unité de décharge de charge (180). Des surfaces de substrat semi-conducteur de l'unité photodiode (130), de la première unité de transfert de charge (103A), de l'unité de maintien de charge (131), de la seconde unité de transfert de charge (103B) et de l'unité de décharge de charge (180) sont toutes recouvertes d'une région semi-conductrice d'un second type de conductivité.
(JA) ノイズ電荷を抑制することができる技術を提供する。単位画素(10)の各々が、フォトダイオード部(130)と、第1の電荷転送部(103A)と、電荷保持部(131)と、第2の電荷転送部(103B)と、電荷排出部(180)を備え、フォトダイオード部(130)、第1の電荷転送部(103A)、電荷保持部(131)、第2の電荷転送部(103B)、および、電荷排出部(180)の半導体基板表面が全て第2導電型半導体領域で覆われている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)