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1. (WO2018220901) セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
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国際公開番号: WO/2018/220901 国際出願番号: PCT/JP2018/003751
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 05.02.2018
IPC:
H01G 4/12 (2006.01) ,H01G 4/232 (2006.01) ,H01G 4/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
018
誘電体
06
固体誘電体
08
無機誘電体
12
セラミック誘電体
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
228
端子部
232
積層型または巻回型コンデンサーの二つ以上の層を電気的に接続するもの
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
30
積層型コンデンサ
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO.,LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi Kyoto 6178555, JP
発明者:
堤 正紀 TSUTSUMI Masaki; JP
国司 多通夫 KUNISHI Tatsuo; JP
代理人:
筒井 秀隆 TSUTSUI Hidetaka; JP
優先権情報:
2017-10734631.05.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT, AND CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT ÉLECTRONIQUE EN CÉRAMIQUE ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE EN CÉRAMIQUE
(JA) セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品
要約:
(EN) [Problem] To provide: a method for manufacturing a ceramic electronic component, wherein a plated electrode can be formed on any portion of the surface of a ceramic element body made of a titanium-containing metal oxide; and a ceramic electronic component. [Solution] The present invention provides a method for manufacturing a ceramic electronic component, the method comprising: a step for preparing a ceramic element body 10 containing a titanium-containing metal oxide; a step for irradiating a portion of the surface layer of the ceramic element body with a pulsed laser having a peak power density of 1×106-1×109 W/cm2 and a frequency of 500 kHz or less and modifying the metal oxide to form a low-resistance portion; and a step for forming an electrode on the low-resistance portion by electrolytic plating. When the titanium-containing metal oxide such as BaTiO3 is heated by laser irradiation, O-defects are generated and an n-type semiconductor is formed. Since this semiconductor portion has a resistance value lower than that of the metal oxide, a plating metal can be selectively precipitated by electrolytic plating.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : un procédé de fabrication d'un composant électronique en céramique, une électrode plaquée pouvant être formée sur n'importe quelle partie de la surface d'un corps d'élément en céramique constitué d'un oxyde métallique contenant du titane ; et un composant électronique en céramique. La solution selon l'invention porte sur un procédé de fabrication d'un composant électronique en céramique, le procédé comprenant : une étape de préparation d'un corps d'élément en céramique (10) contenant un oxyde métallique contenant du titane ; une étape d'exposition d'une partie de la couche de surface du corps d'élément en céramique au rayonnement d'un laser pulsé ayant une densité de puissance de crête de 1×106-1×109 W/cm2 et une fréquence inférieure ou égale à 500 kHz, et de modification de l'oxyde métallique de façon à former une partie à faible résistance ; et une étape de formation d'une électrode sur la partie à faible résistance par dépôt électrolytique. Quand l'oxyde métallique contenant du titane tel que du BaTiO3 est chauffé par exposition au rayonnement laser, des défauts en O sont produits et un semi-conducteur de type n est formé. Comme cette partie semi-conductrice présente une valeur de résistance inférieure à celle de l'oxyde métallique, un métal de placage peut être sélectivement précipité par dépôt électrolytique.
(JA) 【課題】 チタンを含む金属酸化物からなるセラミック素体の表面の任意の部位にめっき電極を形成できるセラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品を提案する。 【解決手段】 チタンを含む金属酸化物を含有するセラミック素体10を準備する工程と、セラミック素体の表層部の一部にピークパワー密度1×106W/cm2~1×109W/cm2、周波数500kHz以下のパルスレーザを照射し、金属酸化物を改質して低抵抗部を形成する工程と、低抵抗部上に電極を電解めっき処理により形成する工程と、を備えるセラミック電子部品の製造方法である。BaTiO3のようなチタンを含む金属酸化物は、レーザ照射による加熱でO欠陥が生成され、n型半導体が形成される。この半導体部分は金属酸化物より抵抗値が低いので、電解めっきによりめっき金属を選択的に析出させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)