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1. (WO2018220879) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/220879    International Application No.:    PCT/JP2017/038825
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Oct 27 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/8234
H01L 27/06
H01L 29/739
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
富士電機株式会社
Inventors: NAITO Tatsuya
内藤 達也
Title: 半導体装置
Abstract:
第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、半導体基板の上面から半導体基板の内部まで設けられた第1のトレンチ部と、半導体基板の上面とドリフト領域との間において第1のトレンチ部と隣接して設けられた第2導電型のベース領域と、ベース領域とドリフト領域との間に設けられ、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第1の蓄積領域と、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型の第2の蓄積領域と、第1の蓄積領域と第2の蓄積領域との間に設けられた第2導電型の中間領域とを備え、第2の蓄積領域は、第1の蓄積領域より深い位置に設けられた第1の開口部を有する半導体装置を提供する。