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1. (WO2018220849) 半導体モジュール
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国際公開番号: WO/2018/220849 国際出願番号: PCT/JP2017/020690
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 02.06.2017
IPC:
G11C 5/02 (2006.01) ,G06F 12/00 (2006.01) ,G11C 5/04 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
5
11/00に分類される記憶装置の細部
02
記憶素子の配置,例.マトリックス配列におけるもの
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
5
11/00に分類される記憶装置の細部
02
記憶素子の配置,例.マトリックス配列におけるもの
04
記憶素子のための支持体;そのような支持体への記録素子の取付けまたは固定
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
16
装置が27/00~51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP/JP]; 東京都八王子市旭町11-8 アクセスビル3階 Access Bldg. 3F, 11-8, Asahi-cho, Hachioji-shi, Tokyo 1920083, JP
発明者:
梶谷 一彦 KAJIGAYA, Kazuhiko; JP
安達 隆郎 ADACHI, Takao; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; JP
林 一好 HAYASHI, Kazuyoshi; JP
崎間 伸洋 SAKIMA, Nobuhiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
要約:
(EN) Provided is a semiconductor module which enables a memory bandwidth to be widened, and which enables data transfer efficiency to be improved by reducing power consumption. A semiconductor module 1 comprises: an interposer 10; and a processing unit 20 which has a plurality of processing unit bodies 21 arrayed to be side by side with each other in a first direction F1 along the sheet surface of the interposer 10, and which is placed on the interposer 10 so as to be electrically connected to the interposer 10. The processing unit bodies 21 are provided with a plurality of subset units 22 each including: one calculation unit 23 including at least one core 25; and one memory unit 24 that is configured from a stacked-type RAM module and that is disposed to be side by side with the calculation unit 23 in the first direction F1. The plurality of subset units 22 are arrayed to be side by side with each other in a second direction F2 that intersects with the first direction F1.
(FR) L'invention concerne un module semi-conducteur qui permet d'élargir une largeur de bande de mémoire, et qui permet d'améliorer l'efficacité de transfert de données en réduisant la consommation d'énergie. Un module semi-conducteur (1) comprend : un interposeur (10) ; et une unité de traitement (20) qui comporte une pluralité de corps d'unité de traitement (21) agencés de façon à être côte à côte les uns avec les autres dans une première direction F1 le long de la surface de feuille de l'interposeur (10), et qui est placé sur l'interposeur (10) de manière à être électriquement relié à l'interposeur (10). Les corps d'unité de traitement (21) sont pourvus d'une pluralité d'unités de sous-ensemble (22) comprenant chacune : une unité de calcul (23) comprenant au moins un cœur (25) ; et une unité de mémoire (24) qui est configurée à partir d'un module de mémoire vive de type empilé et qui est disposée de façon à être côte à côte avec l'unité de calcul (23) dans la première direction F1. La pluralité d'unités de sous-ensemble (22) sont agencées de façon à être côte à côte les unes avec les autres dans une seconde direction F2 qui croise la première direction F1.
(JA) メモリバンド幅を広げることができるとともに、消費電力を低減することで、データ転送効率を向上することが可能な半導体モジュールを提供すること。 半導体モジュール1は、インタポーザ10と、インタポーザ10の板面に沿う第1方向F1に並設される複数の処理部本体21を有し、インタポーザ10に載置されるとともに、インタポーザ10と電気的に接続される処理部20と、を備え、処理部本体21は、少なくとも1つのコア25を含む1つの演算部23と積層型RAMモジュールで構成され演算部23の第1方向F1に並設される1つのメモリ部24とを有するサブセット部22を複数備え、複数のサブセット部22は、第1方向F1に対して交差する第2方向F2に並設される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)