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1. (WO2018220819) 半導体素子接合用基板、半導体装置および電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/220819 国際出願番号: PCT/JP2017/020607
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 02.06.2017
IPC:
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
石川 悟 ISHIKAWA Satoru; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) CARTE DE LIAISON D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体素子接合用基板、半導体装置および電力変換装置
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a semiconductor element bonding board, a semiconductor device, and a power conversion device that suppress occurrence of shrinkage cavities when a semiconductor element is bonded to a board by solder and that improve the heat dissipation of the semiconductor element. A semiconductor element bonding board (100) according to the present invention is provided with an insulation plate (1) and a metal pattern (2) that is bonded to a main surface of the insulation plate (1). A main surface (6) on the side opposite to the insulation plate (1) of the metal pattern (2) is provided with a bonding area (6a) in which a semiconductor element (4) is bonded by solder (5). The metal pattern (2) is provided with at least one recess (7) located in the main surface (6). In the bonding area (6a), the at least one recess (7) is located closer to the periphery of the bonding area (6a) than to the center part of the bonding area (6a).
(FR) Le but de la présente invention est de fournir une carte de liaison d'élément semi-conducteur, un dispositif semi-conducteur, et un dispositif de conversion de puissance qui supprime l'apparition de cavités de retrait lorsqu'un élément semi-conducteur est lié à une carte par soudure et qui améliore la dissipation de chaleur de l'élément semi-conducteur. Une carte de liaison d'élément semi-conducteur (100) selon la présente invention est pourvue d'une plaque d'isolation (1) et d'un motif métallique (2) qui est lié à une surface principale de la plaque d'isolation (1). Une surface principale (6) sur le côté opposé à la plaque d'isolation (1) du motif métallique (2) est pourvue d'une zone de liaison (6a) au niveau de laquelle un élément semi-conducteur (4) est lié par soudure (5). Le motif métallique (2) est pourvu d'au moins un évidement (7) situé au niveau la surface principale (6). Au niveau de la zone de liaison (6a), le ou les évidements (7) sont situés plus près de la périphérie de la zone de liaison (6a) que de la partie centrale de la zone de liaison (6a).
(JA) 本発明は半導体素子を基板にはんだで接合する際の引け巣の発生を抑制するとともに、半導体素子の放熱性を向上させた、半導体素子接合用基板、半導体装置および電力変換装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体素子接合用基板(100)は、絶縁板(1)と、絶縁板(1)の主面に接合された金属パターン(2)と、を備え、金属パターン(2)の絶縁板(1)と反対側の主面(6)は、半導体素子(4)がはんだ(5)によって接合される接合領域(6a)を備え、金属パターン(2)は、主面(6)に配置された少なくとも1つのくぼみ(7)を備え、少なくとも1つのくぼみ(7)は、接合領域(6a)内において、接合領域(6a)の中央部分よりも接合領域(6a)の縁の近くに配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)