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1. (WO2018220721) 半導体パワーモジュール

Pub. No.:    WO/2018/220721    International Application No.:    PCT/JP2017/020124
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 31 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/58
H01L 25/07
H01L 25/18
H02M 1/00
H02M 7/48
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TANI, Masakazu
谷 昌和
Title: 半導体パワーモジュール
Abstract:
半導体パワーモジュールは、X方向に配置される複数の半導体素子からなる素子列がY方向に複数列配列して実装される第1の電極と、第1の電極に実装される各素子列に接続される第1の主配線と、第1の電極に実装される複数列の素子列の中で、第1の主配線の合成インダクタンスの影響を最も受けない半導体素子である第1の検出対象素子に実装される第1のセンサと、第1の電極上に配置される第1の制御端子と、第1の制御端子を介して取得した第1のセンサの検出結果に基づいて、第1の検出対象素子に流れる電流を制御する制御基板と、を備えて構成されている。