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1. (WO2018220714) ストレージ装置およびメモリデバイス制御方法
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国際公開番号: WO/2018/220714 国際出願番号: PCT/JP2017/020099
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 30.05.2017
IPC:
G06F 12/16 (2006.01) ,G06F 11/00 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
16
メモリ内容の破壊に対する保護
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
11
エラー検出;エラー訂正;監視
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
水島 永雅 MIZUSHIMA, Nagamasa; JP
鈴木 彬史 SUZUKI, Akifumi; JP
小関 英通 KOSEKI, Hideyuki; JP
代理人:
特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所 WILLFORT INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都中央区日本橋小網町19-7 日本橋TCビル 1階 Nihonbashi TC Bldg. 1F, 19-7, Nihonbashi Koamicho, Chuo-ku, Tokyo 1030016, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) STORAGE SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING MEMORY DEVICE
(FR) SYSTÈME DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(JA) ストレージ装置およびメモリデバイス制御方法
要約:
(EN) At least one of a plurality of nonvolatile semiconductor memory devices is assumed to be a nonvolatile semiconductor memory device (hereafter, a first memory device) that is in a low power consumption state in which an error inspection process and a refresh process cannot be performed. A storage system deactivates the low power consumption state of the first memory device with timing that conforms to an elapsed time since the first memory device was placed into the low power consumption state and the estimated ambient temperature of the first memory device at the elapsed time. When the low power consumption state is deactivated, the first memory device executes an error inspection process and a refresh process.
(FR) Selon la présente invention, au moins un d'une pluralité de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs non volatiles est supposé être un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatile (ci-après, un premier dispositif de mémoire) qui est dans un état de faible consommation d'énergie dans lequel un processus d'inspection d'erreur et un processus de rafraîchissement ne peuvent pas être effectués. Un système de mémoire désactive l'état de faible consommation d'énergie du premier dispositif de mémoire à l'aide d'une temporisation qui répond à une durée écoulée depuis que le premier dispositif de mémoire a été placé dans l'état de faible consommation d'énergie et à la température ambiante estimée du premier dispositif de mémoire une fois la durée écoulée. Lorsque l'état de faible consommation d'énergie est désactivé, le premier dispositif de mémoire exécute un processus d'inspection d'erreur et un processus de rafraîchissement.
(JA) 複数の不揮発性半導体メモリデバイスの少なくとも1つが、誤り検査処理およびリフレッシュ処理を行うことができない低消費電力状態の不揮発性半導体メモリデバイス(以下、第1のメモリデバイス)であるとする。ストレージ装置は、第1のメモリデバイスが低消費電力状態にされてからの経過時間と、その経過時間における第1のメモリデバイスの推定周辺温度とに従うタイミングで、第1のメモリデバイスの低消費電力状態を解除する。第1のメモリデバイスは、低消費電力状態が解除された場合、誤り検査処理およびリフレッシュ処理を実行する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)