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1. (WO2018220674) 半導体装置および半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/220674 国際出願番号: PCT/JP2017/019908
国際公開日: 06.12.2018 国際出願日: 29.05.2017
IPC:
H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
02
レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026
モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
32
PN接合からなるもの,例.ヘテロまたはダブルヘテロ構造
323
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
川▲崎▼ 和重 KAWASAKI, Kazushige; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A semiconductor device according to the present invention is provided with: a substrate; a semiconductor laser that is provided on the upper surface of the substrate and emits laser beams; a waveguide having a first conductive layer that is provided on the upper surface of the substrate, and a waveguide layer that is provided on the first conductive layer and guides laser beams; and an embedded layer that is provided on the upper surface of the substrate and encloses the semiconductor laser and the waveguide. On both sides of an end portion of the waveguide connected to the semiconductor laser, exposure parts are provided in which the substrate is exposed from the embedded layer by dividing the embedded layer in the waveguide direction of the waveguide. In the end portion, division areas are provided in which the first conductive layer is divided in the waveguide direction.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : un substrat; un laser à semi-conducteur qui est disposé sur la surface supérieure du substrat et émettant des faisceaux laser; un guide d'ondes ayant une première couche conductrice qui est disposée sur la surface supérieure du substrat, et une couche de guide d'ondes qui est disposée sur la première couche conductrice et guidant des faisceaux laser; et une couche incorporée qui est disposée sur la surface supérieure du substrat et enfermant le laser à semi-conducteur et le guide d'ondes. Sur les deux côtés d'une partie d'extrémité du guide d'ondes connectée au laser à semi-conducteur, des parties d'exposition sont prévues, dans lesquelles le substrat est exposé à partir de la couche incorporée par division de la couche incorporée dans la direction de guide d'ondes du guide d'ondes. Dans la partie d'extrémité, des zones de division sont prévues, dans lesquelles la première couche conductrice est divisée dans la direction de guide d'ondes.
(JA) 本願の発明に係る半導体装置は、基板と、基板の上面に設けられ、レーザー光を発する半導体レーザーと、基板の上面に設けられた第1導電性層と、第1導電性層の上に設けられレーザー光を導波させる導波路層と、を有する導波路と、基板の上面に設けられ、半導体レーザーと導波路とを取り囲む埋め込み層と、を備え、導波路の半導体レーザーと接続される端部の両側には、埋め込み層が導波路の導波方向に分断されることで、基板が埋め込み層から露出した露出部が設けられ、端部には、第1導電性層が導波方向に分断されている分断領域が設けられる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)