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1. (WO2018220471) 記憶装置及びその動作方法

Pub. No.:    WO/2018/220471    International Application No.:    PCT/IB2018/053594
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 23 01:59:59 CEST 2018
IPC: G11C 11/4091
G11C 7/06
G11C 11/405
H01L 21/8242
H01L 27/108
H01L 29/786
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: ATSUMI, Tomoaki
熱海知昭
KATO, Kiyoshi
加藤清
Title: 記憶装置及びその動作方法
Abstract:
要約書 消費電力の小さい記憶装置を提供する。 第1乃至第3のトランジスタと、 第1配線と、 第2配線と、 メモリセルと、 容量素子を有する記憶装 置である。 第1乃至第3トランジスタは直列に接続されている。 第1トランジスタのドレインは高電 源電圧が与えられ、 第3トランジスタのソースは低電源電圧が与えられる。 第2トランジスタのゲー トは第1配線を介してメモリセルに電気的に接続される。 第2配線は、 第2トランジスタのソースお よび容量素子に電気的に接続される。 第1トランジスタのゲートはクロック信号が与えられ、 第3ト ランジスタのゲートは反転クロック信号が与えられる。第1乃至第3トランジスタはチャネル形成領 域に酸化物半導体を有する。