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1. (WO2018216612) 基板処理装置
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国際公開番号: WO/2018/216612 国際出願番号: PCT/JP2018/019284
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 18.05.2018
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,B08B 3/02 (2006.01) ,C03C 15/00 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
B 処理操作;運輸
08
清掃
B
清掃一般;汚れ防止一般
3
液体または蒸気の使用または存在を含む方法による清掃
02
ジェットまたはスプレーの力による清掃
C 化学;冶金
03
ガラス;鉱物またはスラグウール
C
ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着
15
繊維やフィラメントの形態をとらないガラスの,エッチングによる表面処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
井谷 晶 ITANI Akira; --
代理人:
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
優先権情報:
2017-10431226.05.2017JP
発明の名称: (EN) APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約:
(EN) Provided is a wet etching apparatus 20 comprising: a wet etching bath 21 for supplying an etchant to a to-be-treated surface of a mother glass substrate; a cleaning bath 22 which is disposed downstream of the wet etching bath 21 to supply a cleaning solution to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; a replacement bath 23 which is disposed between the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22 to supply a replacement fluid for replacing the etchant to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; and a substrate transport unit 24 which transports the mother glass substrate in order from the wet etching bath 21 to the replacement bath 23 and then the cleaning bath 22, and transports the mother glass substrate faster in the replacement bath 23 than in the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22.
(FR) L'invention concerne un appareil de gravure humide 20 comprenant : un bain de gravure humide 21 pour fournir un agent de gravure à une surface à traiter d'un substrat de verre mère; un bain de nettoyage 22 qui est disposé en aval du bain de gravure humide 21 pour fournir une solution de nettoyage à la surface à traiter du substrat de verre mère; un bain de remplacement 23 qui est disposé entre le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22 pour fournir un fluide de remplacement pour remplacer l'agent de gravure sur la surface à traiter du substrat de verre mère; et une unité de transport de substrat 24 qui transporte le substrat de verre mère dans l'ordre depuis le bain de gravure humide 21 jusqu'au bain de remplacement 23 , puis le bain de nettoyage 22, et transporte le substrat de verre mère plus rapidement dans le bain de remplacement 23 que dans le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22.
(JA) ウェットエッチング装置20は、マザーガラス基板の被処理面にエッチング液を供給するウェットエッチング処理槽21と、ウェットエッチング処理槽21の下流側に配されてマザーガラス基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽22と、ウェットエッチング処理槽21と洗浄槽22との間に介在する形で配されてマザーガラス基板の被処理面にエッチング液を置換するための置換液を供給する置換槽23と、ウェットエッチング処理槽21、置換槽23及び洗浄槽22の順でマザーガラス基板を搬送し、置換槽23ではウェットエッチング処理槽21及び洗浄槽22よりマザーガラス基板を速く搬送する基板搬送部24と、を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)