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1. (WO2018216445) 基板研磨装置および基板研磨方法
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国際公開番号: WO/2018/216445 国際出願番号: PCT/JP2018/017517
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 02.05.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
出願人:
株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP/JP]; 東京都大田区羽田旭町11番1号 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP
発明者:
福永 明 FUKUNAGA, Akira; JP
渡辺 和英 WATANABE, Katsuhide; JP
小畠 厳貴 KOBATA, Itsuki; JP
辻村 学 TSUJIMURA, Manabu; JP
代理人:
小野 新次郎 ONO, Shinjiro; JP
宮前 徹 MIYAMAE, Toru; JP
鐘ヶ江 幸男 KANEGAE, Yukio; JP
渡邊 誠 WATANABE, Makoto; JP
優先権情報:
2017-10458526.05.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE POLISHING APPARATUS AND SUBSTRATE POLISHING METHOD
(FR) APPAREIL DE POLISSAGE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SUBSTRAT
(JA) 基板研磨装置および基板研磨方法
要約:
(EN) The present invention planarizes a substrate that has recesses and projections. The present invention provides a method for chemically mechanically polishing a substrate; and this method comprises a step for polishing a substrate with use of a processing liquid and a step for changing the concentration of an active ingredient of the processing liquid, said active ingredient contributing to the polishing of the substrate.
(FR) La présente invention aplanit un substrat qui a des renfoncements et des saillies. La présente invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique (CMP) d'un substrat ; et ce procédé comprend une étape de polissage d'un substrat à l'aide d'un liquide de traitement et une étape de modification de la concentration d'un principe actif du liquide de traitement, ledit principe actif contribuant au polissage du substrat.
(JA) 凹凸のある基板を平坦化する。 基板を化学機械的に研磨する方法が提供され、かかる方法は、処理液を使用して基板を研磨するステップと、基板の研磨に寄与する前記処理液の有効成分の濃度を変更するステップと、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)