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1. (WO2018216440) III-V族化合物半導体基板およびエピタキシャル層付III-V族化合物半導体基板
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国際公開番号: WO/2018/216440 国際出願番号: PCT/JP2018/017452
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 01.05.2018
IPC:
C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/42 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
40
AIIIBV化合物
42
ひ化ガリウム
出願人:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者:
藤原 新也 FUJIWARA, Shinya; JP
三好 知顕 MIYOSHI, Tomoaki; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
PCT/JP2017/01972226.05.2017JP
発明の名称: (EN) GROUP III–V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III–V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DU GROUPE III-V ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ DU GROUPE III-V AVEC COUCHE ÉPITAXIALE
(JA) III-V族化合物半導体基板およびエピタキシャル層付III-V族化合物半導体基板
要約:
(EN) An InP substrate, being a group III–V compound semiconductor substrate, that includes, on a main surface thereof, 0.22 particles/cm2 that have a particle diameter of at least 0.19 µm or 20 particles/cm2 that have a particle diameter of 0.079 µm. An InP substrate with an epitaxial layer, being a group III–V compound semiconductor substrate with an epitaxial layer, includes: the InP substrate and an epitaxial layer arranged upon the main surface of the InP substrate; and, upon the main surface thereof when the thickness of the epitaxial layer is 0.3 µm, no more than 10 LPD that have a circle-equivalent diameter of at least 0.24 µm, per cm2, or no more than 30 LPD that have a circle-equivalent diameter of at least 0.136 µm, per cm2. As a result, a group III–V compound semiconductor substrate capable of reducing defects in an epitaxial layer grown upon a main surface thereof and a group III–V compound semiconductor substrate with an epitaxial layer are provided.
(FR) Un substrat InP, qui est un substrat semi-conducteur composé du groupe III-V, qui comprend, sur une surface principale de celui-ci, 0,22 particules/cm2 ayant un diamètre de particule d'au moins 0,19 µm ou 20 particules/cm2 ayant un diamètre de particule de 0,079 µm. Un substrat InP avec une couche épitaxiale, qui est un substrat semi-conducteur composé du groupe III-V avec une couche épitaxiale, comprend : le substrat InP et une couche épitaxiale disposée sur la surface principale du substrat InP ; et, sur la surface principale de celui-ci lorsque l'épaisseur de la couche épitaxiale est de 0,3 µm, pas plus de 10 LPD qui ont un diamètre équivalent au cercle d'au moins 0,24 µm, par cm2, ou pas plus de 30 LPD qui ont un diamètre équivalent au cercle d'au moins 0,136 µm, par cm 22. Par conséquent, l'invention concerne un substrat semi-conducteur composé du groupe III-V capable de réduire les défauts dans une couche épitaxiale développée sur une surface principale de celui-ci et un substrat semi-conducteur composé du groupe III-V avec une couche épitaxiale.
(JA) III-V族化合物半導体基板であるInP基板は、主表面上に粒径が0.19μm以上のパーティクルを0.22個/cm2以下または粒径が0.079μm以上のパーティクルを20個/cm2以下で含む。エピ層付III-V族化合物半導体基板であるエピ層付InP基板は、上記InP基板と、InP基板の主表面上に配置されたエピタキシャル層と、を含み、エピタキシャル層の厚さ0.3μmのときの主表面上に等面積円径が0.24μm以上のLPDを10個/cm2以下または等面積円径が0.136μm以上のLPDを30個/cm2以下で含む。これにより、主表面上に成長されるエピタキシャル層の欠陥を低減できるIII-V族化合物半導体基板およびエピ層付III-V族化合物半導体基板が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)