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1. (WO2018216407) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/216407 国際出願番号: PCT/JP2018/016123
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 19.04.2018
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
[IPC code unknown for C30B 29/36][IPC code unknown for C23C 16/42][IPC code unknown for C30B 25/20][IPC code unknown for H01L 21/20][IPC code unknown for H01L 21/205]
出願人:
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
一般財団法人電力中央研究所 CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目6番1号 6-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008126, JP
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661, JP
発明者:
深田 啓介 FUKADA Keisuke; JP
石橋 直人 ISHIBASHI Naoto; JP
坂東 章 BANDO Akira; JP
伊藤 雅彦 ITO Masahiko; JP
鎌田 功穂 KAMATA Isaho; JP
土田 秀一 TSUCHIDA Hidekazu; JP
原 一都 HARA Kazukuni; JP
内藤 正美 NAITO Masami; JP
上東 秀幸 UEHIGASHI Hideyuki; JP
藤林 裕明 FUJIBAYASHI Hiroaki; JP
青木 宏文 AOKI Hirofumi; JP
杉浦 利和 SUGIURA Toshikazu; JP
鈴木 克己 SUZUKI Katsumi; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
優先権情報:
2017-10462526.05.2017JP
発明の名称: (EN) SIC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
要約:
(EN) The method for producing a SiC epitaxial wafer according to an embodiment of the present invention includes an epitaxial growing step of feeding an Si-based source gas, a C-based source gas, and a gas having a Cl element onto a surface of a SiC single-crystal substrate and growing an epitaxial layer on the SiC single-crystal substrate, wherein growing conditions in the epitaxial growing step are a pressure of deposition of 30 torr or less, a Cl/Si ratio of 8 to 12, a C/Si ratio of 0.8 to 1.2, and a growth rate of 50 μm/h or faster from the beginning of growth.
(FR) Le procédé de production d'une tranche épitaxiale de SiC selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une étape de croissance épitaxiale consistant à introduire un gaz source à base de Si, un gaz source à base de C et un gaz ayant un élément Cl sur une surface d'un substrat monocristallin de SiC et à faire croître une couche épitaxiale sur le substrat monocristallin de SiC, les conditions de croissance dans l'étape de croissance épitaxiale étant une pression de dépôt inférieure ou égale à 30 torr, un rapport Cl/Si de 8 à 12, un rapport C/Si de 0,8 à 1,2, et un taux de croissance supérieur ou égal à 50 µm/h à partir du début de la croissance.
(JA) 本実施形態にかかるSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、Si系の原料ガスとC系の原料ガスとCl元素を有するガスを前記SiC単結晶基板の表面に供給し、前記SiC単結晶基板上に前記エピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程を有し、前記エピタキシャル成長工程における成長条件は、成膜圧力30torr以下であり、Cl/Si比が8~12であり、C/Si比が0.8~1.2であり、成長速度が成長初期から50μm/h以上である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)