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1. (WO2018216364) シリコン単結晶の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/216364    International Application No.:    PCT/JP2018/014519
Publication Date: Fri Nov 30 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/06
C30B 15/20
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: SAITOU Masao
斉藤 正夫
EGASHIRA Kazuyuki
江頭 和幸
Title: シリコン単結晶の製造方法
Abstract:
シリコン融液から、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶(10)を引き上げて成長させるシリコン単結晶(10)の製造方法は、シリコン単結晶(10)の引き上げ中に有転位化が生じたときに、有転位化開始位置(101)が、酸素析出核形成温度帯(TBMD)を通過するまで、引き上げ速度を維持してシリコン単結晶(10)の引き上げを行う。