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1. (WO2018216326) 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法
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国際公開番号: WO/2018/216326 国際出願番号: PCT/JP2018/010375
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 16.03.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
プトラ プリアンガ プルダナ PUTRA Priangga Perdana; JP
代理人:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
優先権情報:
2017-10441126.05.2017JP
発明の名称: (EN) SURFACE TREATMENT METHOD FOR IMPARTING ALCOHOL REPELLENCY TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE PERMETTANT DE CONFÉRER UNE RÉSISTANCE À L'ALCOOL À UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法
要約:
(EN) According to the present invention, a method for treating the surface of a semiconductor substrate can be provided, the method including bringing the semiconductor substrate into contact with a liquid composition to impart alcohol repellency to the semiconductor substrate, wherein the liquid composition is characterized by containing: 0.01 to 15% by mass of each of at least two compounds selected from surfactants respectively represented by formulae (1) to (6) and salts thereof; and water. (In formulae (1) to (6), RF is selected from the group consisting of compounds in each of which a hydrogen atom in an alkyl group having 2 to 10 carbon atoms is substituted by a fluorine atom; R1 is selected from the group consisting of a covalent bond, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms and others; RHP is selected from the group consisting of a hydroxyl group, a sulfonic acid group and a carboxyl group; R2, R3 and R4 are independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and others; R5, R6 and R7 are independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and others; X- is selected from the group consisting of a hydroxide ion and others; and a represents an integer of 3 to 20 inclusive.)
(FR) La présente invention concerne un procédé de traitement de la surface d'un substrat semi-conducteur, le procédé consistant à amener le substrat semi-conducteur en contact avec une composition liquide de façon à conférer une résistance à l'alcool au substrat semi-conducteur, la composition liquide étant caractérisée en ce qu'elle contient : de 0,01 à 15 % en masse de chacun d'au moins deux composés choisis parmi des tensioactifs respectivement représentés par les formules (1) à (6) et leurs sels ; et de l'eau. (Dans les formules (1) à (6), RF est choisi dans le groupe constitué par des composés dans chacun desquels un atome d'hydrogène dans un groupe alkyle ayant de 2 à 10 atomes de carbone est substitué par un atome de fluor ; R1 est choisi dans le groupe constitué par une liaison covalente, un groupe alkylène ayant 1 à 6 atomes de carbone et autres ; RHP est choisi dans le groupe constitué par un groupe hydroxyle, un groupe acide sulfonique et un groupe carboxyle ; R2, R3 et R4 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué par un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant 1 à 6 atomes de carbone et autres ; R5, R6 et R7 sont indépendamment choisis dans le groupe constitué par un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ayant 1 à 6 atomes de carbone et autres ; X- est choisi dans le groupe constitué par un ion hydroxyde et autres ; et a représente un nombre entier de 3 à 20 inclus).
(JA) 本発明によれば、下記式(1)から(6)で表される界面活性剤またはその塩の2種以上をそれぞれ0.01~15質量%と水を含むことを特徴とする液体組成物と半導体基板とを接触させ、半導体基板に撥アルコール性を付与する半導体基板の表面処理方法を提供することができる。 【化1】(式(1)~(6)中、Rは、炭素数2~10のアルキル基などの水素をフッ素に置き換えた化合物からなる群より選択される。Rは、共有結合、炭素数1~6のアルキレンなどからなる群より選択される。RHPは、ヒドロキシル基、スルホン酸基及びカルボキシル基からなる群より選択される。R、R及びRは、水素または炭素数1~6のアルキル基などからなる群より選択される。R、R及びRは、水素または炭素数1~6のアルキル基などからなる群より選択される。Xは、水酸化物イオンなどからなる群より選択される。aは3以上20以下の整数を示す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)