このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018216226) 成膜装置及び成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/216226 国際出願番号: PCT/JP2017/020526
国際公開日: 29.11.2018 国際出願日: 26.05.2017
IPC:
H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
31
圧電部品または電歪部品,あるいはそれらの本体を,電気素子または他の基板の上に貼付け
314
圧電層または電磁層の堆積による,例.エアロゾルまたはスクリーン印刷
316
気相堆積による
出願人:
アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 千葉県流山市西平井956番地の1 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156, JP
発明者:
本多 祐二 HONDA Yuji; JP
木島 健 KIJIMA Takeshi; JP
濱田 泰彰 HAMADA Yasuaki; JP
代理人:
柳瀬 睦肇 YANASE Mutsuyasu; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル4階 進歩国際特許事務所 Patent Attorneys Shinpo, 4th Floor, Hongo K&K Building, 3-30-10, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
要約:
(EN) The film-forming device according to one embodiment of the present invention has: a chamber 21 electrically connected to a grounding potential; a target TG disposed in the chamber; a power supply section 32 that supplies high-frequency power to the target; gas supply sections 23, 24 that supply a gas to the inside of the chamber; a substrate holding insulating section 25b, which is disposed in the chamber, and which holds a substrate SB by having the substrate face the target; a conductive supporting section 42 that supports the substrate holding insulating section; and a first insulating member 53 disposed between the conductive supporting section and the chamber. The conductive supporting section is electrically floating from the chamber due to the first insulating member, the substrate is held by the substrate holding insulating section when an outer peripheral section of the substrate comes into contact with the substrate holding insulating section, the substrate is electrically floating from the conductive supporting section, and the substrate holding insulating section does not overlap a center section of the substrate in plan view.
(FR) Le dispositif de formation de film selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une chambre 21 connectée électriquement à un potentiel de mise à la terre; une cible TG disposée dans la chambre; une section d'alimentation électrique 32 qui fournit de l'énergie à haute fréquence à la cible; des sections d'alimentation en gaz 23, 24 qui fournissent un gaz à l'intérieur de la chambre; une section d'isolation de maintien de substrat 25b, qui est disposée dans la chambre, et qui maintient un substrat SB par le fait que le substrat fait face à la cible; une section de support conductrice 42 qui supporte la section d'isolation de maintien de substrat; et un premier élément isolant 53 disposé entre la section de support conductrice et la chambre. La section de support conductrice est électriquement flottante de la chambre en raison du premier élément isolant, le substrat est maintenu par la section d'isolation de maintien de substrat lorsqu'une section périphérique externe du substrat vient en contact avec la section d'isolation de maintien de substrat, le substrat est électriquement flottant à partir de la section de support conductrice, et la section d'isolation de maintien de substrat ne chevauche pas une section centrale du substrat dans une vue en plan.
(JA) 本発明の一態様に係る成膜装置は、接地電位に電気的に接続されるチャンバー21と、前記チャンバー内に配置されたターゲットTGと、前記ターゲットに高周波電力を供給する電力供給部32と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部23,24と、前記チャンバー内に配置され、基板SBを前記ターゲットに対向させて保持する絶縁性基板保持部25bと、前記絶縁性基板保持部を支持する導電性支持部42と、前記導電性支持部と前記チャンバーとの間に配置された第1絶縁性部材53と、を有し、前記導電性支持部は前記第1絶縁性部材によって前記チャンバーに対して電気的に浮遊しており、前記基板の外周部が前記絶縁性基板保持部と接触することで、前記絶縁性基板保持部に前記基板が保持され、前記基板は前記導電性支持部に対して電気的に浮遊しており、前記絶縁性基板保持部は、平面視において前記基板の中央部と重ならない。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)