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1. WO2018216203 - GaAs基板およびその製造方法

公開番号 WO/2018/216203
公開日 29.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2017/019725
国際出願日 26.05.2017
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
C30B 33/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
08Etching
10in solutions or melts
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 藤原 新也 FUJIWARA, Shinya
  • 樋口 恭明 HIGUCHI, Yasuaki
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GAAS SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE GAAS ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) GaAs基板およびその製造方法
要約
(EN)
A GaAs substrate having a first surface. The number of particles, per cm2 of the first surface, present on the first surface and having a long diameter of at least 0.16 µm and the number of damages, per cm2 of a second surface formed by etching the first surface 0.5 µm in the depth direction, present on the second surface and having a long diameter of at least 0.16 µm total no more than 2.1.
(FR)
L'invention concerne un substrat de GaAs comportant une première surface. Le nombre de particules, par cm2 de la première surface, présentes sur la première surface et ayant un diamètre long d'au moins 0,16 µm et le nombre de dégradations, par cm2 d'une seconde surface formée en gravant la première surface sur 0,5 µm dans le sens de la profondeur, présentes sur la seconde surface et ayant un diamètre long d'au moins 0,16 µm ne sont pas supérieurs à 2,1.
(JA)
GaAs基板は、第1表面を有し、前記第1表面に存在する長径が0.16μm以上のパーティクルの前記第1表面1cm2当たりの個数と、前記第1表面を深さ方向に0.5μmエッチングすることにより形成される第2表面に存在する長径が0.16μm以上のダメージの前記第2表面1cm2当たりの個数との和が、2.1以下である。
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