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1. (WO2018215878) 半導体装置、および半導体装置の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/215878    International Application No.:    PCT/IB2018/053366
Publication Date: Fri Nov 30 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 16 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 29/786
H01L 21/8234
H01L 21/8242
H01L 27/06
H01L 27/088
H01L 27/108
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
OKUNO, Naoki
奥野直樹
ENDO, Yuta
遠藤佑太
IMOTO, Yuki
井本裕己
Title: 半導体装置、および半導体装置の作製方法
Abstract:
要約書 良好な特性を有する半導体装置を提供する。 トランジスタを有する半導体装置であって、 トランジスタは、 第1の酸化物と、 第1の酸化物上の第 2の酸化物と、第2の酸化物上の絶縁体と、絶縁体上の導電体と、を有し、第1の酸化物は、チャネ ル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように位置する第1の領域、および第2の領域と、を有し、 第2の酸化物は、 チャネル形成領域、 第1の領域の一部、 および第2の領域の一部と接するように設 けられ、第1の領域、および第2の領域は、チャネル形成領域よりも酸素濃度が小さい。