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1. (WO2018212195) 半導体光素子

Pub. No.:    WO/2018/212195    International Application No.:    PCT/JP2018/018798
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 16 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01S 5/042
Applicants: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
日本電信電話株式会社
Inventors: NAKAO Ryo
中尾 亮
KAKITSUKA Takaaki
硴塚 孝明
MATSUO Shinji
松尾 慎治
Title: 半導体光素子
Abstract:
放熱と光閉込めを両立し、効率的に電流を注入または電界を印加する半導体光素子を実現する。化合物半導体からなる活性領域(1)を含むコア層と、前記コア層に電流を注入する2つのクラッド層(5、6)と、前記コア層、前記2つのクラッド層のいずれよりも熱伝導率が大きく、屈折率が小さく、バンドギャップが大きい材料を含んで構成された第3クラッド層(4)を設けた半導体光素子。