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1. (WO2018212175) 光電変換素子および撮像素子

Pub. No.:    WO/2018/212175    International Application No.:    PCT/JP2018/018752
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 16 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 27/146
H01L 31/10
H01L 31/107
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: MINARI, Hideki
三成 英樹
MARUYAMA, Shunsuke
丸山 俊介
Title: 光電変換素子および撮像素子
Abstract:
【解決手段】 光入射面を有するとともに、化合物半導体材料を含む光吸収層と、前記光吸収層の前記光入射面と反対面に対向して、画素毎に設けられた第1電極と、前記光吸収層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するとともに、前記光吸収層と前記第1電極との間に設けられた、第1導電型の第1半導体層と、前記光吸収層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するとともに、前記第1半導体層と前記光吸収層との間に設けられた、第2導電型の第2半導体層と、隣り合う前記画素の間に、前記第2半導体層と前記光吸収層とに跨って設けられた、第2導電型の第1拡散領域とを備えた光電変換素子。