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1. (WO2018212171) 半導体装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/212171 国際出願番号: PCT/JP2018/018738
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 15.05.2018
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
山岸 正憲 YAMAGISHI Masanori; JP
代理人:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
五十嵐 光永 IGARASHI Koei; JP
加藤 広之 KATO Hiroyuki; JP
優先権情報:
2017-09799417.05.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MEHTOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) A method for producing a semiconductor device, which comprises: a step for producing a semiconductor chip with a protective film, said semiconductor chip having a first protective film on a first surface that has a bump or alternatively having a second protective film on a second surface that is on the reverse side of the first surface; and a step for producing a multilayer structure wherein the semiconductor chip with a protective film is bonded to a substrate, with the bump being interposed therebetween. During the production of the semiconductor chip with a protective film, the first protective film is formed such that the upper part of the bump penetrates through and protrudes from the first protective film. The first protective film or the second protective film has such characteristics that enable the multilayer structure to have a shear strength ratio of 1.05 to 2 and a fracture risk factor of -0.9 to 0.9.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, qui comprend : une étape de production d'une puce semi-conductrice comportant un film protecteur, ladite puce semi-conductrice comportant un premier film protecteur sur une première surface qui a une bosse ou, en variante, un second film protecteur sur une seconde surface qui est sur le côté inverse de la première surface ; et une étape de fabrication d'une structure multicouche dans laquelle la puce semi-conductrice comportant un film protecteur est liée à un substrat, la bosse étant intercalée entre ces derniers. Pendant la fabrication de la puce semi-conductrice comportant un film protecteur, le premier film protecteur est formé de telle sorte que la partie supérieure de la bosse pénètre à travers le premier film protecteur et fait saillie depuis ce dernier. Le premier film de protection ou le second film de protection a des caractéristiques qui permettent à la structure multicouche d'avoir un rapport de résistance au cisaillement de 1,05 à 2 et un facteur de risque de fracture de -0,9 à 0,9.
(JA) 半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第1面に第1保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第1面とは反対側の第2面に第2保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製することと、この保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製することと、を含み;この保護膜付き半導体チップの作製では、第1保護膜は、このバンプの上部が第1保護膜を貫通して突出するよう形成され;第1保護膜又は第2保護膜は、この積層構造体のせん断強度比が1.05~2となり破断危険因子が-0.9~0.9となる特性を有する保護膜である、半導体装置の製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)