国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018212040) プラズマ処理装置、処理システム、及び、多孔質膜をエッチングする方法

Pub. No.:    WO/2018/212040    International Application No.:    PCT/JP2018/017959
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 10 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/3065
H05H 1/46
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
Inventors: TAHARA Shigeru
田原 慈
Title: プラズマ処理装置、処理システム、及び、多孔質膜をエッチングする方法
Abstract:
一実施形態のプラズマ処理装置は、チャンバ本体、ステージ、ガス供給系、及び、プラズマ生成部を備える。チャンバ本体は、その内部空間をチャンバとして提供する。ステージは、チャンバ内に設けられている。ステージには、冷媒用の流路が形成されている。ガス供給系は、多孔質膜内においてその毛管凝縮が生じる第1のガス、及び、多孔質膜のエッチング用の第2のガスをチャンバに供給するように構成されている。プラズマ生成部は、チャンバに供給されるガスのプラズマを生成するよう構成されている。ガス供給系は、第2のガスのソースをチャンバに接続する第1の流路、第1のガスのソースを第1の流路に接続する第2の流路、及び、排気装置を第2の流路に接続する第3の流路を提供する。