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1. (WO2018211978) 電子デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/211978    International Application No.:    PCT/JP2018/017459
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 02 01:59:59 CEST 2018
IPC: G02F 1/13
B32B 17/06
B32B 38/18
G02F 1/1333
G09F 9/00
H01L 51/50
H05B 33/02
H05B 33/10
Applicants: NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD.
日本電気硝子株式会社
Inventors: MORI Hiroki
森 弘樹
TAKIMOTO Hiroshi
瀧本 博司
INAYAMA Naotoshi
稲山 尚利
TANIGUCHI Katsuhiro
谷口 勝広
Title: 電子デバイスの製造方法
Abstract:
本方法は、帯状のガラスフィルムG1を搬送しつつ、このガラスフィルムG1に第一製造関連処理を行う。その後、膜付ガラスフィルムG2を枚葉状に切断する。次に、枚葉状のガラスフィルムGF1,GF2に支持基板SS1,SS2(支持ガラスSG1,SG2)を積層してガラスフィルム積層体LM1,LM2を構成する。次に、ガラスフィルム積層体LM1,LM2に第二製造関連処理を行う。最後に、ガラスフィルムGF1,GF2から支持基板SS1,SS2(支持ガラスSG1,SG2)を剥離させる。