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1. (WO2018211977) 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/211977    International Application No.:    PCT/JP2018/017453
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed May 02 01:59:59 CEST 2018
IPC: C04B 35/01
C23C 14/34
H01L 21/363
H01L 29/786
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: MIYANAGA, Miki
宮永 美紀
WATATANI, Kenichi
綿谷 研一
AWATA, Hideaki
粟田 英章
TOMINAGA, Aiko
富永 愛子
TOKUDA, Kazuya
徳田 一弥
Title: 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法
Abstract:
In、WおよびZnを含み、In2O3結晶相およびIn2(ZnO)mO3結晶相(mは自然数を表す。)を含み、インジウム原子に配位する酸素の平均配位数が3以上5.5未満である酸化物焼結体およびその製造方法、ならびにIn、WおよびZnを含み、非晶質であり、インジウム原子に配位する酸素の平均配位数が2以上4.5未満である酸化物半導体膜が提供される。