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1. (WO2018211928) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
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国際公開番号: WO/2018/211928 国際出願番号: PCT/JP2018/016722
国際公開日: 22.11.2018 国際出願日: 25.04.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,B23K 26/066 (2014.01) ,B23K 26/073 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
[IPC code unknown for B23K 26/066]
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26
レーザービームによる加工,例.溶接,切断,穴あけ
02
加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準,焦点合せ
06
レーザービーム光の成形,例.マスクまたは多焦点装置によるもの
073
レーザー・スポットの成形
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
発明者:
柳川 良勝 YANAGAWA Yoshikatsu; JP
藤森 裕也 FUJIMORI Yuya; JP
梶山 康一 KAJIYAMA Koichi; JP
代理人:
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
優先権情報:
2017-09755916.05.2017JP
発明の名称: (EN) LASER ANNEAL DEVICE AND LASER ANNEAL METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
要約:
(EN) A laser anneal device provided with: a light source which generates laser light; a homogenizer which makes the intensity distribution of laser light irradiated from the light source substantially uniform; a capacitor lens which collects the laser light with the intensity distribution having been made uniform by the homogenizer; a cylindrical lens which converts the laser light collected by the capacitor lens into a line beam; and a projection mask which is disposed on an optical path between the cylindrical lens and an object to be irradiated with the line beam to reduce interference irregularities due to the line beam that may be caused on the object to be irradiated due to the interference of laser light passing through the homogenizer.
(FR) L'invention concerne un dispositif de recuit au laser comprenant : une source de lumière qui produit une lumière laser ; un homogénéisateur qui rend la répartition d'intensité de la lumière laser rayonnant à partir de la source de lumière sensiblement uniforme ; une lentille de condensateur qui collecte la lumière laser, la répartition d'intensité ayant été rendue uniforme par l'homogénéisateur ; une lentille cylindrique qui convertit la lumière laser collectée par la lentille de condensateur en un faisceau de ligne ; et un masque de projection qui est disposé sur un trajet optique entre la lentille cylindrique et un objet à exposer au faisceau de ligne, afin de réduire les irrégularités d'interférence provoquées par le faisceau de ligne, qui peuvent avoir lieu sur l'objet à exposer en raison de l'interférence de la lumière laser traversant l'homogénéisateur.
(JA) レーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、光源から照射されたレーザ光の強度分布を略均一にするホモジナイザと、ホモジナイザにより強度分布が均一にされたレーザ光を集光するコンデンサレンズと、コンデンサレンズにより集光されたレーザ光をラインビームに変換するシリンドリカルレンズと、シリンドリカルレンズと、ラインビームの照射対象との間の光路上に設けられ、ホモジナイザを通過したレーザ光の干渉により照射対象に発生し得るラインビームによる干渉ムラを低減するための投影マスクと、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)