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1. (WO2018211903) シリコンウエーハの研磨方法

Pub. No.:    WO/2018/211903    International Application No.:    PCT/JP2018/016132
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Apr 20 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 21/304
B24B 37/00
B24B 37/24
C09K 3/14
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: OSEKI Masaaki
大関 正彬
SATO Michito
佐藤 三千登
ISHII Kaoru
石井 薫
Title: シリコンウエーハの研磨方法
Abstract:
本発明は、シリコンウェーハと研磨パッドとの間に研磨スラリーを介在させて、前記シリコンウエーハを研磨するシリコンウエーハの研磨方法であって、前記研磨スラリーとして、コロイダルシリカとアルカリを含み、(前記研磨スラリー中の水酸化物イオン濃度[OH-](mol/l))/(前記研磨スラリーの質量中の前記コロイダルシリカの質量分率)≧0.1(mol/l)を満たすものを用いて研磨することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法である。これにより、硬質のパッドを用いても低欠陥性を達成することができるシリコンウエーハの研磨方法が提供される。