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1. WO2018211842 - 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板

公開番号 WO/2018/211842
公開日 22.11.2018
国際出願番号 PCT/JP2018/014232
国際出願日 03.04.2018
IPC
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
CPC
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/0243
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
0243Surface structure
H01L 21/02433
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02433Crystal orientation
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 本家 翼 HONKE, Tsubasa
  • 沖田 恭子 OKITA, Kyoko
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2017-09985319.05.2017JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板
要約
(EN)
This silicon carbide substrate has a first main surface and a second main surface, and is composed of 4H-polytype silicon carbide. The first main surface has a maximum diameter of at least 150 mm. The first main surface is inclined toward a <11-20> direction by an angle of greater than 0 degree and at most 4 degrees with respect to the {0001} plane. The silicon carbide substrate has a TTV of at most 3 μm. The first main surface includes a first central region that is enclosed by a 90-mm square. The intersection of the diagonals of the first central region coincides with the center of the first main surface. The first central region consists of nine square regions each having 30-mm sides. The maximum LTV in the nine square regions is not more than 1 μm. A second central region which is enclosed by a 250-mm square having the center thereof at the intersection has an arithmetic average roughness Sa of at most 0.1 nm.
(FR)
La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium doté d'une première surface principale et d'une deuxième surface principale, et composé de carbure de silicium de polytype 4H. La première surface principale a un diamètre maximum d'au moins 150 mm. La première surface principale est inclinée vers une direction <11-20> selon un angle supérieur à 0 degré et inférieur ou égal à 4 degrés par rapport au plan {1}. Le substrat en carbure de silicium a une TTV inférieure ou égale à 3 µm. La première surface principale comprend une première région centrale qui est fermée par un carré de 90 mm. L'intersection des diagonales de la première région centrale coïncide avec le centre de la première surface principale. La première région centrale est constituée de neuf régions carrées ayant chacune des côtés de 30 mm. La LTV maximale des neuf régions carrées n'est pas supérieure à 1 µm. Une deuxième région centrale qui est fermée par un carré de 250 mm dont le centre est au niveau de l'intersection présente une rugosité moyenne arithmétique Sa inférieure ou égale à 0,1 nm.
(JA)
炭化珪素基板は、第1主面と、第2主面とを有し、かつポリタイプ4Hの炭化珪素により構成されている。第1主面の最大径は、150mm以上である。第1主面は、{0001}面に対して0°より大きく4°以下<11-20>方向に傾斜した面である。炭化珪素基板のTTVは、3μm以下である。第1主面は、一辺が90mmの正方形に囲まれた第1中央領域を含む。第1中央領域の対角線の交点は、第1主面の中心と一致する。第1中央領域は、一辺が30mmの9個の正方領域からなる。9個の正方領域の中で最大のLTVは、1μm以下である。交点を中心とする一辺が250μmの正方形に囲まれた第2中央領域における算術平均粗さSaは、0.1nm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報