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1. (WO2018211842) 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板

Pub. No.:    WO/2018/211842    International Application No.:    PCT/JP2018/014232
Publication Date: Fri Nov 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Apr 04 01:59:59 CEST 2018
IPC: C30B 29/36
H01L 21/20
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: HONKE, Tsubasa
本家 翼
OKITA, Kyoko
沖田 恭子
Title: 炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャル基板
Abstract:
炭化珪素基板は、第1主面と、第2主面とを有し、かつポリタイプ4Hの炭化珪素により構成されている。第1主面の最大径は、150mm以上である。第1主面は、{0001}面に対して0°より大きく4°以下<11-20>方向に傾斜した面である。炭化珪素基板のTTVは、3μm以下である。第1主面は、一辺が90mmの正方形に囲まれた第1中央領域を含む。第1中央領域の対角線の交点は、第1主面の中心と一致する。第1中央領域は、一辺が30mmの9個の正方領域からなる。9個の正方領域の中で最大のLTVは、1μm以下である。交点を中心とする一辺が250μmの正方形に囲まれた第2中央領域における算術平均粗さSaは、0.1nm以下である。